[发明专利]一种逆导型IGBT器件的制备方法有效
| 申请号： | 201210559699.6 | 申请日： | 2012-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN103887240A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 张朝阳 | 申请（专利权）人： | 上海宝芯源功率半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8222 | 分类号： | H01L21/8222 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 逆导型 igbt 器件 制备 方法 | ||
1.一种逆导型IGBT器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括以下步骤：
1）提供一半导体衬底，通过外延工艺、离子注入及退火工艺于所述半导体衬底表面形成重掺杂P型区及重掺杂N型区，以制备出IGBT的集电极和快速恢复二极管的阴极；
2）于上述结构表面外延N型漂移区；
3）基于所述N型漂移区进行IGBT制备的正面工艺；
4）去除所述半导体衬底；
5）对所述IGBT的集电极和快速恢复二极管的阴极进行金属化。
2.根据权利要求1所述的逆导型IGBT器件的制备方法，其特征在于：步骤3）包括以下步骤：
3-1）通过离子注入及退火工艺于所述N型漂移区中形成P阱；
3-2）于所述N型漂移区表面形成氧化层，于氧化层表面形成多晶硅层，并通过光刻工艺制备出IGBT的栅极；
3-3）通过离子注入及退火工艺于所述栅极两侧的P阱中形成重掺杂N型源区；
3-4）于上述结构表面形成介质层，并刻蚀所述接触孔以在与所述N型源区对应的区域形成接触孔；
3-5）通过离子注入及退火工艺于所述接触孔下方的N型源区及P阱中形成重掺杂的P型接触区；
3-6）于所述接触孔中及所述介质层表面沉积金属，以制备出IGBT的发射极。
3.根据权利要求1所述的逆导型IGBT器件的制备方法，其特征在于：步骤1）中包括步骤：
提供一半导体衬底，于所述半导体衬底表面外延重掺杂P型层，通过N型离子注入并退火于所述重掺杂P型层中形成重掺杂P型区及重掺杂N型区；或
提供一半导体衬底，于所述半导体衬底表面外延重掺杂N型层，通过P型离子注入并退火于所述重掺杂N型层中形成重掺杂P型区及重掺杂N型区。
4.根据权利要求1所述的逆导型IGBT器件的制备方法，其特征在于：步骤1）中，退火温度为900~1200℃，退火时间为30~900分钟。
5.根据权利要求1所述的逆导型IGBT器件的制备方法，其特征在于：所述的重掺杂P型区的掺杂浓度为1×1012～1×1016原子每立方厘米。
6.根据权利要求1所述的逆导型IGBT器件的制备方法，其特征在于：所述的重掺杂N型区的掺杂浓度为1×1017～1×1019原子每立方厘米。
7.根据权利要求1所述的逆导型IGBT器件的制备方法，其特征在于：所述的重掺杂P型区及所述重掺杂N型区的厚度为3~50微米。
8.根据权利要求1所述的逆导型IGBT器件的制备方法，其特征在于：所述N型漂移区的厚度为50~200微米。
9.根据权利要求1所述的逆导型IGBT器件的制备方法，其特征在于：所述N型漂移区的电阻率为20~200欧姆·厘米。
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