[发明专利]一种大功率LED封装用高导热绝缘层材料的制备方法无效

专利信息
申请号: 201210559551.2 申请日: 2012-12-21
公开(公告)号: CN103044855A 公开(公告)日: 2013-04-17
发明(设计)人: 郝勇;张聪林;郝婷婷 申请(专利权)人: 郝勇
主分类号: C08L63/00 分类号: C08L63/00;C08K3/38;C08K3/36;C09D163/00;C09D5/25
代理公司: 西宁金语专利代理事务所 63101 代理人: 哈庆华
地址: 810007 青海省*** 国省代码: 青海;63
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摘要:
搜索关键词: 一种 大功率 led 封装 导热 绝缘 材料 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及太阳能光伏利用领域,尤其是一种大功率LED封装用高导热绝缘层材料的制备方法。

背景技术

LED的散热问题随着LED各类灯具的普及,越来越被人们所重视,因为LED的光衰及寿命与LED的结温有关,散热不好结温就高,寿命就短,LED的寿命与LED芯片结点温度的增加成指数形式下降。LED的工作温度越低越好,为了保证器件的寿命,一般要求结温在110℃以下。但是,在实际应用中,一般需要LED具有高功率和高封装密度以获取高亮度,当需要LED满负荷运行以获得需要的亮度时,散热问题尤为突出。

目前,高亮度的LED灯已在人们日常生活中随处可见,随着包括散热等更多技术的进步,其成本必将越来越低,应用必将越来越广泛。

发明内容

本发明要解决的技术问题是针对现有技术存在的不足,提供一种大功率LED封装用高导热绝缘层材料的制备方法。

本发明一种大功率LED封装用高导热绝缘层材料的制备方法通过下述技术方案予以实现:一种大功率LED封装用高导热绝缘层材料的制备方法,特征是采用环氧树脂作为导热基体,其中导热基体含固化剂及稀释剂;采用纳米级氮化硼、纳米级二氧化硅为导热填充粒; 导热基体制备步骤:采用环氧密封底漆、环氧固化剂、稀释剂,摩尔配比为100:45:10混合为混合胶体,将混合胶体使用磁力搅拌器搅拌至均匀混合,室温超声震荡30-40min;高导热绝缘层材料制备步骤:采用导热基体、纳米级氮化硼、纳米级二氧化硅为以摩尔配比为100:15:10混合,使用磁力搅拌器搅拌至均匀混合,室温超声震荡30-40min制备得到本发明的高导热绝缘层材料;将本发明的高导热绝缘层材料均匀喷涂或刷涂在LED基板的散热表面,厚度为100+10um,在50~70℃下烘干即可。

本发明一种大功率LED封装用高导热绝缘层材料的制备方法与现有技术相比较有如下有益效果:本发明提出了一种大功率LED封装用高导热绝缘层材料的制备方法,具体是一种基于环氧树脂+纳米级导热填充物的导热胶的制备方法,使用该方法制备的LED封装用导热胶,具有优良的导热性能、且工艺流程简单,能大大提高基板的绝缘性、改善基板的介电性,能够使基板增加机械强度、取得更好的散热效果。

具体实施方式

下面结合实施例对本发明一种大功率LED封装用高导热绝缘层材料的制备方法技术方案作进一步描述。

一种大功率LED封装用高导热绝缘层材料的制备方法,特征是采用环氧树脂作为导热基体,其中导热基体含固化剂及稀释剂;采用纳米级氮化硼、纳米级二氧化硅为导热填充粒; 导热基体制备步骤:采用环氧密封底漆、环氧固化剂、稀释剂,摩尔配比为100:45:10混合为混合胶体,将混合胶体使用磁力搅拌器搅拌至均匀混合,室温超声震荡30-40min;高导热绝缘层材料制备步骤:采用导热基体、纳米级氮化硼、纳米级二氧化硅为以摩尔配比为100:15:10混合,使用磁力搅拌器搅拌至均匀混合,室温超声震荡30-40min制备得到本发明的高导热绝缘层材料;将本发明的高导热绝缘层材料均匀喷涂或刷涂在LED基板的散热表面,厚度为100+10um,在50~70℃下烘干即可。

实施例1。

1、一种大功率LED封装用高导热绝缘层材料的制备方法,采用环氧树脂作为导热基体,其中导热基体含固化剂及稀释剂;采用纳米级氮化硼、纳米级二氧化硅为导热填充粒。 

2、导热基体的制备方法是:采用环氧密封底漆、环氧固化剂、稀释剂,摩尔配比为100:45:10混合为混合胶体,将混合胶体使用磁力搅拌器搅拌至均匀混合,室温超声震荡30-40min。

3、高导热绝缘层材料制备方法是:采用导热基体、纳米级氮化硼、纳米级二氧化硅为以摩尔配比为100:15:10混合,使用磁力搅拌器搅拌至均匀混合,室温超声震荡30-40min制备得到本发明的高导热绝缘层材料。

4、将本发明的高导热绝缘层材料均匀喷涂或刷涂在LED基板(铝、铜等散热基板)的散热表面,厚度为100+10um,在50~70℃下烘干即可。

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