[发明专利]半导体工艺及其结构

权利要求书

1.一种半导体工艺，其特征在于包含：

提供硅基板，该硅基板具有表面、导接垫及保护层，该导接垫形成于该表面，该保护层形成于该表面且覆盖该导接垫，该保护层具有第一开口，该第一开口显露该导接垫；

形成第一种子层于该保护层及该导接垫，该第一种子层具有第一区段及位于该第一区段外侧的第二区段；

形成第一光阻层于该第一种子层，该第一光阻层形成有第一开槽以显露该第一区段；

形成第一缓冲层于该第一开槽，该第一缓冲层覆盖该第种子层的该第一区段，该第一缓冲层具有接合部及包埋部；

移除该第一光阻层以显露该第一种子层的该第二区段；

移除该第一种子层的该第二区段以使该第一区段形成第一凸块下金属层；

形成支撑层于该保护层及该第一缓冲层，该支撑层具有第二开口且该第二开口显露该第一缓冲层的该接合部，其中该第一凸块下金属层具有第一环壁，该第一缓冲层具有第二环壁，该支撑层包覆该第一凸块下金属层的该第一环壁、该第一缓冲层的该第二环壁及该包埋部；以及

形成导接部于该第二开口且覆盖该第一缓冲层的该接合部。

2.如权利要求1所述的半导体工艺，其特征在于该导接部包含有第二凸块下金属层、第二缓冲层及焊料层，该第二凸块下金属层覆盖该第一缓冲层的该接合部，该第二缓冲层覆盖该第二凸块下金属层，该焊料层覆盖该第二缓冲层。

3.如权利要求2所述的半导体工艺，其特征在于该支撑层具有顶面，该第二凸块下金属层覆盖该顶面。

4.如权利要求2所述的半导体工艺，其特征在于形成该导接部的工艺包含下列步骤：

形成第二种子层于该支撑层并覆盖该第一缓冲层，该第二种子层具有第三区段及位于该第三区段外侧的第四区段；

形成第二光阻层于该第二种子层，该第二光阻层形成有第二开槽以显露该第三区段；

形成该第二缓冲层于该第二开槽，该第二缓冲层覆盖该第二种子层的该第三区段；

形成该焊料层于该第二缓冲层；

移除该第二光阻层以显露该第二种子层的该第四区段；及

移除该第二种子层的该第四区段以使该第三区段形成该第二凸块下金属层。

5.如权利要求4所述的半导体工艺，其特征在于在移除该第二种子层的该第四区段的步骤后，另包含有回焊该焊料层的步骤。

6.如权利要求1所述的半导体工艺，其特征在于该第一种子层的材质选自于钛铜合金或钛钨铜合金其中之一。

7.如权利要求1所述的半导体工艺，其特征在于该支撑层的材质选自于聚酰亚胺、聚对苯撑苯并二嗯唑或苯环丁烯其中之一。

8.如权利要求4所述的半导体工艺，其特征在于该第二种子层的材质选自于钛铜合金或钛钨铜合金其中之一。

9.如权利要求1所述的半导体工艺，其特征在于该第一缓冲层的材质选自于铜或镍其中之一。

10.如权利要求2所述的半导体工艺，其特征在于该第二缓冲层的材质选自于铜、镍或铜镍合金其中之一。

11.如权利要求2所述的半导体工艺，其特征在于该第一缓冲层的该接合部具有一接合面，该第二凸块下金属层具有抵接边，该抵接边接触该接合面。

12.一种半导体结构，其特征在于包含：

硅基板，其具有表面、导接垫及保护层,该导接垫形成于该表面，该保护层形成于该表面且覆盖该导接垫，该保护层具有第一开口，该第一开口显露该导接垫；

第一凸块下金属层，其覆盖该保护层及该导接垫，该第一凸块下金属层具有第一环壁；

第一缓冲层，其形成于该第一凸块下金属层，该第一缓冲层具有接合部、包埋部及第二环壁；

支撑层，其形成于该保护层、该第一凸块下金属层及该第一缓冲层,该支撑层具有第二开口且该第二开口显露该第一缓冲层的该接合部，该支撑层包覆该第一凸块下金属层的该第一环壁、该第一缓冲层的该第二环壁及该包埋部；以及

导接部，其形成于该第二开口且覆盖该第一缓冲层的该接合部。

13.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于该导接部包含有第二凸块下金属层、第二缓冲层及焊料层，该第二凸块下金属层形成于该第二开口，且覆盖该第一缓冲层的该接合部，该第二缓冲层覆盖该第二凸块下金属层，该焊料层覆盖该第二缓冲层。