[发明专利]对层间电介质进行可靠性分析的测试结构及测试方法

权利要求书

1.一种对层间电介质进行可靠性分析的测试结构，其特征在于，所述测试结构至少包括：

形成于衬底上的多晶硅结构及绝缘介质结构；

第一接触线结构，一端连接于所述衬底上的绝缘介质结构；

第一金属条结构，连接于所述第一接触线结构的另一端，所述第一金属条结构用于连接偏置电压；

第二接触线结构，一端连接于所述多晶硅结构；

第二金属条结构，连接于所述第二接触线结构的另一端，所述第二金属条结构用于连接偏置电压；其中，相邻的第一金属条结构和第二金属条结构之间的距离大于相邻的第一接触线结与多晶硅结构之间的距离；

层间电介质，覆盖于所述形成有多晶硅结构及绝缘介质结构的衬底上，且所述层间电介质中形成有所述的第一接触线结构、第二接触线结构、第一金属条结构及第二金属条结构，其中，所述层间电介质至少使所述多晶硅结构和第一接触线结构之间、所述第一接触线结构和第二接触线结构之间、及第一金属条结构和第二金属条结构之间形成隔离；

所述测试结构对位于所述多晶硅结构与第一接触线结构之间的层间电介质进行检测。

2.根据权利要求1所述的对层间电介质进行可靠性分析的测试结构，其特征在于：所述测试结构位于晶圆的切割道处。

3.根据权利要求1所述的对层间电介质进行可靠性分析的测试结构，其特征在于：所述测试结构还包括连接所述第一金属条结构一端的第一垫片和连接所述第二金属条结构一端的第二垫片，其中，所述第一垫片和第二垫片用于连接偏置电压。

4.根据权利要求3所述的对层间电介质进行可靠性分析的测试结构，其特征在于：所述第一金属条结构和第二金属条结构均为梳齿状条形结构，二者相互交叉形成互不接触的指叉式结构。

5.根据权利要求3所述的对层间电介质进行可靠性分析的测试结构，其特征在于：所述第一金属条结构和第二金属条结构均为直线状条形结构，二者相互交叉形成互不接触的指叉式结构。

6.根据权利要求5所述的对层间电介质进行可靠性分析的测试结构，其特征在于：所述第一金属条结构包括至少两条第一金属条，其中，所述第一垫片在横向上的宽度大于所述的至少两条第一金属条在所述层间电介质中横向排列的宽度。

7.根据权利要求5所述的对层间电介质进行可靠性分析的测试结构，其特征在于：所述第二金属条结构包括至少两条第二金属条，其中，所述第二垫片在横向上的宽度大于所述的至少两条第二金属条在所述层间电介质中横向排列的宽度。

8.根据权利要求1所述的对层间电介质进行可靠性分析的测试结构，其特征在于：所述第一接触线结构包括至少两条第一接触线，且各该第一接触线之间形成有用于隔离的层间电介质；所述第二接触线结构包括至少两条第二接触线，且各该第二接触线之间形成有用于隔离的层间电介质。

9.根据权利要求1至8中任意一项所述的对层间电介质进行可靠性分析的测试结构，其特征在于：所述测试结构还包括形成于衬底上的有源区，其中，形成于所述有源区上的多晶硅栅极为所述多晶硅结构，对所述有源区进行隔离的隔离结构为所述绝缘介质结构，所述第一接触线结构的一端连接于所述隔离结构，所述第二接触线结构一端连接于所述多晶硅栅极，所述层间电介质覆盖于所述有源区、隔离结构及多晶硅栅极上。

10.根据权利要求9所述的对层间电介质进行可靠性分析的测试结构，其特征在于：所述测试结构还包括位于所述有源区及多晶硅栅极之间的栅介质层。

11.根据权利要求10所述的对层间电介质进行可靠性分析的测试结构，其特征在于：所述测试结构还包括形成在所述栅介质层和多晶硅栅极侧面的侧墙结构。