[发明专利]一种深硅刻蚀方法有效
| 申请号： | 201210558737.6 | 申请日： | 2012-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN103887164B | 公开（公告）日： | 2017-07-04 |
| 发明（设计）人： | 蒋中伟 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 彭瑞欣,张天舒 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 方法 | ||
1.一种深硅刻蚀方法，其特征在于，该方法包括：
沉积步骤，生成保护层以对刻蚀侧壁进行保护；
刻蚀步骤，对刻蚀底部和刻蚀侧壁进行刻蚀；
重复所述沉积步骤和刻蚀步骤至整个深硅刻蚀过程结束；
其中，还包括底部平滑步骤，所述底部平滑步骤为：利用含氟气体执行等离子体处理，以去除刻蚀底部由于沉积产生的聚合物；并且，所述底部平滑步骤采用的工艺压力小于所述刻蚀步骤采用的工艺压力，
在整个深硅刻蚀过程中执行所述底部平滑步骤至少一次，且整个深硅刻蚀过程最后一步为所述底部平滑步骤，以保持刻蚀底部的平滑程度。
2.如权利要求1所述的深硅刻蚀方法，其特征在于，在每执行N次沉积步骤和刻蚀步骤之后，执行一次所述底部平滑步骤，N为正整数。
3.如权利要求2所述的深硅刻蚀方法，其特征在于，在所述刻蚀步骤之后执行所述底部平滑步骤。
4.如权利要求1所述的深硅刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀步骤中采用的工艺压力为40～500mT。
5.如权利要求4所述的深硅刻蚀方法，其特征在于，所述工艺压力为50～300mT。
6.如权利要求1所述的深硅刻蚀方法，其特征在于，所述底部平滑步骤中采用的工艺压力为2～50mT。
7.如权利要求1所述的深硅刻蚀方法，其特征在于，所述底部平滑步骤中采用的上射频电源功率为50～1000W、下射频电源功率为0～50W，所述含氟气体的流量为5～500sccm。
8.如权利要求1所述的深硅刻蚀方法，其特征在于，所述底部平滑步骤中采用的含氟气体为CF4、SF6、NF3、或CHF3中的一种。
9.如权利要求1所述的深硅刻蚀方法，其特征在于，所述底部平滑步骤的工艺时间为0.5～10S。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，未经北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210558737.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：薄膜太阳能电池模块及其制造方法
- 下一篇：一种汽油发动机油底壳
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
