[发明专利]开关电路和用于操作开关电路的方法有效
| 申请号: | 201210558652.8 | 申请日: | 2012-12-20 |
| 公开(公告)号: | CN103178818A | 公开(公告)日: | 2013-06-26 |
| 发明(设计)人: | 科奈斯·P·斯诺登 | 申请(专利权)人: | 快捷半导体(苏州)有限公司;快捷半导体公司 |
| 主分类号: | H03K17/16 | 分类号: | H03K17/16 |
| 代理公司: | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人: | 武晨燕;徐川 |
| 地址: | 215021 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 开关电路 用于 操作 方法 | ||
1.一种开关电路,其定义了接通状态和断路状态,在所述接通状态时,所述开关电路将第一节点耦合到第二节点,并且在所述断路状态时,所述开关电路将所述第一节点与所述第二节点隔离,所述开关电路包括:
第一场效应晶体管(FET),其被配置成在所述接通状态时,将所述第一节点耦合到所述第二节点;以及
电源,其被配置成提供第一电源电压以对所述FET进行控制,
其中,所述电源的参考电压被耦合到所述FET的电位阱,以在所述接通期间维持所述FET的栅极到源极电压为恒定。
2.根据权利要求1所述的开关电路,包括:
第二FET,其被耦合到所述第一节点;
第三FET,其被耦合到所述第二节点;以及
其中,所述第二FET和所述第三FET被配置成在所述导通状态期间,将所述电源的所述参考电压耦合到所述第一节点和所述第二节点。
3.根据权利要求2所述的开关电路,其中,所述第一FET、所述第二FET、所述第三FET和所述电源包括在集成电路中。
4.根据权利要求2所述的开关电路,其中,所述电源包括第一电荷泵和第二电荷泵,并且
其中,所述第一电荷泵和所述第二电荷泵被配置成接收经调整的电源电压。
5.根据权利要求1所述的开关电路,其中,所述第一电源电压和所述电源的所述参考电压之间的差被配置成大于施加到所述第一节点上的信号的电压摆幅。
6.根据权利要求1所述的开关电路,包括:
转换电路,其被配置成使所述FET的控制信号参考第二电源电压或施加到所述第一节点上的信号中的较低电压;以及
低电压电路,其被配置成在施加到所述第一节点上的信号的电压低于所述第二电源电压时,将施加到所述第一节点上的所述信号提供给所述转换电路。
7.根据权利要求6所述的开关电路,包括:
第四FET,其被配置成在施加到所述第一节点上的所述信号的电压电平低于所述第二电源电压时,将所述电源的所述参考电压耦合到施加在所述第一节点上的所述信号;以及
开关控制缓冲器,其被配置成从所述转换电路接收所述控制信号,以向所述FET提供第一控制信号,并且向所述第四FET提供第二控制信号。
8.一种用于操作开关电路的方法,所述开关电路包括接通状态和断路状态,在所述接通状态时,所述开关电路将第一节点耦合到第二节点,并且在所述断路状态时,所述开关电路将所述第一节点与所述第二节点隔离,所述方法包括:
使用电荷泵来提供第一电源电压;
使用所述第一电源电压来控制场效应晶体管(FET),所述FET耦合在所述第一节点和所述第二节点之间;以及
使所述FET的电位阱参考所述电荷泵的参考电压,以在所述接通状态期间维持所述FET的栅极到源极电压为恒定。
9.根据权利要求8所述的方法,包括:
在所述接通状态期间,使用第二FET来将所述电荷泵的所述参考电压耦合到所述第一节点;以及
在所述接通状态期间,使用第三FET来将所述电荷泵的所述参考电压耦合到所述第二节点,
其中,所述提供第一电源电压包括在所述电荷泵处接收经调整的电源电压。
10.根据权利要求9所述的方法,包括:
使用转换电路来使得所述FET的控制信号参考第二电源电压或施加到所述第一节点上的信号的电压中的较低电压;
当施加到所述第一节点上的所述信号的电压低于所述第二电源电压时,在所述转换电路处接收施加到所述第一节点上的所述信号;以及
当施加到所述第一节点的所述信号的电压电平低于所述第二电源电压时,使用第四FET来将施加到所述第一节点上的所述信号与所述参考电压耦合。
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