[发明专利]显示板和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及在薄膜晶体管的沟道部中利用了氧化物半导体的显示板和显示装置。

背景技术

在日本特开2010-170119号公报中，公开了在薄膜晶体管(以下称为TFT)的沟道部中利用氧化物半导体的液晶显示板。氧化物半导体容易由于紫外线而劣化。在日本特开2010-170119号公报中，在透明基板上形成有防止光照射到氧化物半导体的遮光层。

发明内容

然而，在液晶显示板的透明基板上，形成有由透明导电材料构成的电极。优选的是电极的电阻较小。例如，为了实现良好的画面质量，希望公共电极的电阻较低，公共电极的电位在液晶显示板的整个区域内均匀。

本发明的目的在于提供一种显示板和显示装置，能抑制光照射到氧化物半导体，且能降低由透明导电材料构成的电极的电阻。

(1)本发明的显示板包括：形成有薄膜晶体管透明基板；半导体层，其构成上述薄膜晶体管的沟道部，并以氧化物半导体为材料；电极，其由透明导电材料形成在上述透明基板上，并位于上述半导体层的上方；以及遮光导体，其具有比上述透明导电材料高的导电率，且由具有遮光性的材料形成在上述电极上，并覆盖上述半导体层。另外，本发明的显示装置包含上述显示板。根据本发明，利用遮光导体，能抑制光照射到氧化物半导体，且能降低由透明导电材料构成的电极的电阻。

(2)在本发明的一个实施方式中，上述薄膜晶体管是设于上述透明基板的像素上的晶体管，上述电极是公共电极。根据该实施方式，能抑制公共电极的电位变不均匀。

(3)也可以是，在上述透明基板上形成有与上述薄膜晶体管连接的栅电极线，且上述遮光导体沿着上述栅电极线延伸。根据该构造，能抑制栅电极线的延伸方向的公共电极的电位变不均匀。另外，能抑制由于形成遮光导体而降低像素的开口率。

(4)并且，也可以是，上述半导体层整体位于上述遮光导体与上述栅电极线重叠的区域。根据该构造，能更有效地抑制光照射到半导体层。

(5)并且，也可以是，在上述透明基板上形成有像素电极，上述遮光导体和上述公共电极形成在比上述像素电极低的层。根据该构造，与遮光导体和公共电极形成在比像素电极高的层中的构造相比，能减小遮光导体与半导体层的距离。其结果是能更有效地抑制光照射到半导体层。

(6)并且，也可以是，在上述透明基板上形成有利用光取向形成的取向膜，且上述遮光导体形成在比上述取向膜低的层。根据该构造，能抑制在形成取向膜的工序中利用的光照射到半导体层。

(7)在本发明的其他实施方式中，也可以是，在上述透明基板的显示区域形成有电极线，上述薄膜晶体管是形成在上述显示区域外侧的区域即周缘区域，且与上述电极线的端部连接的晶体管。并且，也可以是，上述遮光导体和形成了上述遮光导体的上述电极覆盖形成在上述周缘区域的上述薄膜晶体管的上述半导体层。根据该实施方式，能抑制光照射到构成形成在透明基板的周缘区域上的电路的薄膜晶体管的半导体层。

(8)在该实施方式中，也可以是，在上述透明基板的上述显示区域形成有公共电极。并且，也可以是，形成有上述遮光导体的上述电极形成在上述透明基板的上述周缘区域，并与上述公共电极连接。根据该构造，能以形成在周缘区域的电极遮挡由于形成在透明基板的周缘区域的薄膜晶体管的驱动而形成的无用电场。其结果是，例如在液晶显示板中，能抑制无用电场影响像素区域的液晶层的运动。

(9)并且，也可以是，上述显示板包含：第一薄膜晶体管，其设于上述透明基板的上述显示区域的像素中；半导体层，其构成上述第一薄膜晶体管的沟道部，并由氧化物半导体形成；第一遮光导体，其形成在上述公共电极上，并覆盖上述第一薄膜晶体管的上述半导体层；第二薄膜晶体管，其作为形成在上述透明基板的周缘区域的上述薄膜晶体管发挥作用；以及第二遮光导体，其作为覆盖构成上述第二薄膜晶体管的上述半导体层的上述遮光导体发挥作用，且与上述第一遮光导体连接。根据该构造，能抑制光照射到形成在显示区域的第一薄膜晶体管的半导体层，且也能抑制光照射到形成在透明基板的周缘区域的第二薄膜晶体管的半导体层。

(10)并且，也可以是，上述第一遮光导体在上述电极线的延伸方向上延伸，上述第二遮光导体在与上述电极线的延伸方向正交的方向上扩展。根据该构造，能抑制电极线的延伸方向和与之正交的方向这两个方向的公共电极的电位变不均匀。