[发明专利]引线框架加工方法

权利要求书

1.一种引线框架加工方法，其特征在于，包括：

在载体材料的第一面上加工出第一导电层；

在所述第一导电层上设置介质层；

在所述介质层上钻出贯通至所述第一导电层的若干个孔；

在所述孔内填充导电物质以形成引线框架的层间互联；

去除所述载体材料；

在所述第一导电层上加工出线路图形；

其中，所述在载体材料的第一面上加工出第一导电层，包括：通过化学镀或溅射在载体材料的第一面上形成第一导电层；

或者，所述第一导电层包括第二金属种子层和第一子导电层，所述在载体材料的第一面上加工出第一导电层，包括：通过化学镀或溅射在载体材料的第一面上形成第二金属种子层；在所述第二金属种子层上加工出第一子导电层；其中，所述第二金属种子层具备与所述载体材料合适的结合状态，所述结合状态具体为：满足后续加工的需要而不易分离，且满足最后容易与所述载体材料的剥离撕掉；其中，所述第一子导电层是作为后续钻孔的参照，防止钻孔过深而钻透；

其中，

所述在所述孔内填充导电物质之前还包括：

在钻出了所述若干个孔的所述介质层上贴第一膜；

对所述第一膜进行曝光显影处理以露出所述孔；

所述在钻出了所述若干个孔的所述介质层上贴第一膜之前，或者所述在所述孔内填充导电物质之前，还包括：通过化学镀或溅射在所述若干个孔的孔壁上形成第一金属种子层；

所述第一金属种子层包括：镍、铁、铜和钛的至少一种；

所述在所述孔内填充导电物质以形成引线框架的层间互联包括：

通过电镀和/或化学镀在所述孔内填满导电物质以形成引线框架的层间互联。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第一导电层的厚度为2～5微米。

3.根据权利要求1至2任一项所述的方法，其特征在于，

所述在所述第一导电层上设置介质层之前还包括：

在所述第一导电层上贴第二膜；

对所述第二膜进行曝光显影处理以露出孔加工区；

通过电镀和/或化学镀增厚所述孔加工区的导电物质。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，

所述通过电镀和/或化学镀增厚所述孔加工区的导电物质，包括：

通过电镀和/或化学镀增厚所述孔加工区的导电物质5～8微米。

5.根据权利要求1、2或4任一项所述的方法，其特征在于，

所述在所述介质层上钻出贯通至所述第一导电层的若干个孔，包括：通过激光钻孔在所述介质层上钻出贯通至所述第一导电层的若干个孔。