[发明专利]一种低通高隔离智能射频开关

权利要求书

1.一种低通高隔离智能射频开关，其特征在于，包括由多栅场效应晶体管组成的自偏置开关电路，

自偏置开关电路的输出端（Vout）连接有功率检测电路，该功率检测电路在输出端（Vout）的功率超过设定值时，发出报警信号；

自偏置开关电路的第一偏置电压源和第二偏置电压源处设有静电保护电路，防止开关由于静电影响而失效。

2.根据权利要求1所述的低通高隔离智能射频开关，其特征在于，所述功率检测电路包括与输出端（Vout）连接的第一电阻（R1），第一电阻（R1）的另一端连接到第一三极管（T1）的集电极，第一电容（C1）并联在第一三极管（T1）的集电极和基极之间，第一三极管（T1）的基极通过第二十二电阻（R22）与直流电压源（Vcc）连接，第一三极管（T1）的发射极与第二电容（C2）和第二电阻（R2）连接，第二电容（C2）和第二电阻（R2）的另一端接地，第四电阻（R4）和第五电阻（R5）串联，第四电阻（R4）的另一端连接到直流电压源（Vcc），第三电阻（R3）并联在第一三极管（T1）的发射极和第四电阻（R4）与第五电阻（R5）的公共端之间，报警输出端（Pdet）连接在第一三极管（T1）的发射极。

3.根据权利要求1或2所述的低通高隔离智能射频开关，其特征在于，所述静电保护电路包括漏极与第一偏置电压源（V1）连接的第二MOS管（T2），漏极与第二MOS管（T2）的源极相连接的第三MOS管（T3），第三MOS管（T3）的源极接地，第六电阻（R6）并联在第二MOS管（T2）的栅极和源极之间，第七电阻（R7）并联在第三MOS管（T3）的栅极和漏极之间；

漏极与第二偏置电压源（V2）连接的第四MOS管（T4），漏极与第四MOS管（T4）的源极相连接的第五MOS管（T5），第五MOS管（T5）的源极接地，第八电阻（R8）并联在第四MOS管（T4）的栅极和源极之间，第九电阻（R9）并联在第五MOS管（T5）的栅极和漏极之间。