[发明专利]激光处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种激光处理装置，尤其涉及一种能够仅对衬底的待进行激光处理的部分选择性地进行激光处理的激光处理装置。

背景技术

在制造半导体器件、平板显示器（FPD）器件、或太阳能电池器件等时，当在高温下沉积薄膜时，热化学反应可能造成反应炉污染，或者可能产生不想要的化合物。

因而，使用激光激发的等离子体化学气相沉积在低温下沉积薄膜。

同时，由于随着衬底规格的增大，很难确保薄膜沉积和退火时的均匀性，因此已经提出了包括激光退火处理的各种措施。

反应室设置有进气口/出气口，通过所述进气口/出气口而供应反应气体或从反应室排放反应气体，并且在反应室上端设置有石英玻璃窗口。激光装置放置于该石英玻璃窗口上方，并且从该激光装置发射的激光束经过该石英玻璃窗口并到达反应室中的衬底。

呈帘幕状照射的激光束垂直于衬底或相对于衬底稍微倾斜。

衬底沿相对于激光束的一个方向水平移动，从而使激光束照射至衬底的整个表面。

名称为“用于调节能量束的长度和强度的激光处理装置”的韩国专利申请号10-2010-0138509A（公开于2010年12月31日）公开了本发明的现有技术。

然而，由于通用激光处理装置将激光束照射至整个衬底以执行激光处理，激光束甚至会照射衬底的不需要进行处理的部分，从而很难减少激光处理的时间。

因此，需要一种克服现有技术中的这种问题的激光处理装置。

发明内容

本发明的目的在于提供一种激光处理装置，其能够仅对衬底的待进行激光处理的部分选择性地进行激光处理。

根据本发明的一个方案，一种激光处理装置包括：激光发生单元，其照射激光束；反应室，其中容纳衬底；光学单元，其将从激光发生单元发射的激光束传递到反应室中；以及阻挡单元，其阻挡从激光发生单元发射的激光束。

该阻挡单元可以包括：壳体，放置在激光发生单元的排出口处并包括入口和出口；第一阻挡部，放置在入口与出口之间，以反射激光束，从而防止激光束通过出口照射出；以及功率计，用于测量被第一阻挡单元反射的激光束的强度。

该第一阻挡单元可以包括：第一反射板，放置在入口与出口之间；第一旋转轴，支撑第一反射板并被可旋转地设置在壳体中；以及第一电机，用以向第一旋转轴提供动力。

第二阻挡部，通过第一阻挡单元反射激光束；以及束流收集器，其弥补通过第二阻挡单元反射的激光束。

该第二阻挡单元包括：第二反射板，放置在第一反射板与功率计之间；第二旋转轴，支撑第二反射板并被可旋转地设置在壳体中；以及第二电机，用于向第二旋转轴提供动力。

在根据本发明的激光处理装置中，由于激光束能够仅照射衬底的待进行激光处理的部分，照射激光束的操作时间得以缩短，因而能够减少激光处理的时间和成本。

附图说明

根据下面结合附图所做的具体描述，本发明的上述和其他目的、特征和其他优点将变得易于清楚理解，在附图中：

图1是根据本发明的一个实施例的激光处理装置的透视图；

图2是根据本发明的实施例的激光处理装置的反应室和标记单元的示意图；

图3是衬底的平面图，根据本发明的实施例的激光处理装置在该衬底上产生基准点；

图4是根据本发明的实施例的激光处理装置的标记单元的透视图；

图5是根据本发明的实施例的激光处理装置的移除单元的透视图；

图6是根据本发明的实施例的激光处理装置的阻挡（blocking）单元的透视图；

图7是根据本发明的实施例的激光处理装置在进行激光检验时（upon laser inspection）的透视图；

图8是根据本发明的实施例的激光处理装置的阻挡单元在操作时的透视图；

图9是根据本发明的实施例的激光处理装置的平台的平面图；

图10是根据本发明的实施例的激光处理装置的框图；

图11是根据本发明的实施例的激光处理装置的控制方法的流程图；

图12是根据本发明的实施例的激光处理装置的氧气排放过程的流程图；以及

图13是根据本发明的实施例的激光处理装置的振动检测过程的流程图。

具体实施方式