[发明专利]片式铂热敏电阻器制作方法

权利要求书

1.一种片式铂热敏电阻器制作方法，包括表电极制作、电阻体制作、激光调阻、包封、裂片、烧结、端涂、电镀，其特征在于：具体制作方法如下，

1）、选取氧化铝陶瓷基片，按常规方法使用三氯乙烷、无水乙醇对氧化铝陶瓷基片进行抛光打磨、清洗，要求氧化铝陶瓷基片的表面粗糙度小于50纳米，干燥；

2）、铂薄膜的沉积，采用溅射镀膜的方式制备Pt薄膜，靶材为纯铂金，溅射过程中充入1～5sccm的氮气和100sccm的氩气，溅射功率500～900瓦，溅射时间20～60分钟；

3）、铂薄膜热处理，磁控溅射,正离子冲击靶面,溅出铂原子淀积在基片上,经过晶粒的形成、长大、晶核合并、沟道和空洞的四个阶段,形成了连续膜；通过热处理,将薄膜由介稳状态转变到隐定状态，消除空位、位错、净利间界缺陷，降低薄膜的ρ,增大TCR，排除膜中部分气态、固态杂质；

4）、光刻，采用常规方法进行涂胶、前烘、曝光、显影、硬烘、刻蚀、去胶，将设计在掩膜版上的阻挡层阳图通过干法蚀刻转移到铂薄膜上，要求薄膜铂电阻阻值控制在90%～95%范围内；

5）、Au电极制作，使用溅射镀膜的方式制作纯金电极，用于焊接引线和电路连接；

6）、激光调阻，用常规方法对电阻体进行S形切割，调阻精度控制在±0.04%以内；

7）、引线焊接和包封，经过点焊接进行引线焊接，玻璃釉保护层制备印刷，烘干，烧结工艺，完成包封；

8）、划片，用常规方法将整版按单元尺寸划成单片；

9）、按照常规方法进行老化。

2.根据权利要求1所述的片式铂热敏电阻器制作方法，其特征在于：所述电阻体制作前先设计迷宫图形，制作阻挡层阳图，要求铂电阻图形线宽为10微米。

3.根据权利要求1所述的片式铂热敏电阻器制作方法，其特征在于：在磁控溅射前，先设计不同的图形使用低阻靶材进行磁控溅射来调整合理的溅射参数。

4.根据权利要求1所述的片式铂热敏电阻器制作方法，其特征在于：在光刻工序后，在真空度8.0×10^-4下随炉冷却。