[发明专利]离子植入方法及离子植入设备

权利要求书

1.一种离子植入方法，包括：

将由离子源产生的离子作为离子束输送至晶圆；

使所述晶圆经历晶圆机械慢速扫描，并且还使所述离子束在与晶圆机械慢速扫描方向正交的方向上经历束快速扫描，或使所述晶圆在与晶圆机械慢速扫描方向正交的方向上经历晶圆机械快速扫描；

通过使用所述晶圆机械慢速扫描方向上的所述晶圆机械慢速扫描和所述离子束在所述与晶圆机械慢速扫描方向正交的方向上的所述束快速扫描或所述晶圆在所述与晶圆机械慢速扫描方向正交的方向上的所述晶圆机械快速扫描，来以所述离子束照射所述晶圆；

在对所述晶圆进行离子植入之前，测量所述离子束的二维截面束形状，并且通过使用所测量的二维截面束形状，来限定所述离子束的植入和照射区域，其中，

使所述二维截面束形状为椭圆形状，使用所述离子束的外周边与所述晶圆的外周边的公切线来设定所述离子束的照射范围，并且由此规定所述植入和照射区域。

2.如权利要求1所述的离子植入方法，其中，在所述晶圆的所述外周边的整个区域上，通过使用所述离子束的所述外周边与所述晶圆的所述外周边的所述公切线来规定所述植入和照射区域。

3.如权利要求1所述的离子植入方法，其中，为了在对所述晶圆进行离子植入期间，即使在离子流量发生微小变化的情况下，也确保离子植入量的晶圆面内均匀性并提高晶圆产量，由包括所述晶圆机械慢速扫描方向上的晶圆直径的直线一分为二的所述植入和照射区域的一侧具有矩形形状，而所述植入和照射区域的另一侧具有由所述公切线规定的形状。

4.如权利要求2所述的离子植入方法，其中，在与所述晶圆机械慢速扫描方向正交的方向上阶段性地设定多个束扫描终止端位置，并且在不停止对所述晶圆的所述离子植入的情况下，根据所述晶圆机械慢速扫描方向上的晶圆扫描位置，阶段性地改变所述束扫描终止端位置的设定值，由此将离子植入到所述晶圆的整个表面中。

5.一种离子植入设备，所述离子植入设备：将由离子源产生的离子作为离子束输送至晶圆；使所述晶圆经历晶圆机械慢速扫描，并且还使所述离子束在与晶圆机械慢速扫描方向正交的方向上经历束快速扫描，或使所述晶圆在与晶圆机械慢速扫描方向正交的方向上经历晶圆机械快速扫描；通过使用所述晶圆机械慢速扫描方向上的所述晶圆机械慢速扫描和所述离子束在所述与晶圆机械慢速扫描方向正交的方向上的所述束快速扫描或所述晶圆在所述与晶圆机械慢速扫描方向正交的方向上的所述晶圆机械快速扫描，来以所述离子束照射所述晶圆，所述设备包括：

束测量单元，在对所述晶圆进行离子植入之前，所述束测量单元测量所述离子束的二维截面束形状；以及

控制器，通过使用所测量的二维截面束形状，所述控制器限定所述离子束的植入和照射区域，

其中，所述控制器使所测量的二维截面束形状为椭圆形状，通过使用所述离子束的外周边与所述晶圆的外周边的公切线来设定所述离子束的照射范围，并且由此规定所述植入和照射区域。

6.如权利要求5所述的离子植入设备，其中，在所述晶圆的所述外周边的整个区域上，所述控制器通过使用所述离子束的所述外周边与所述晶圆的所述外周边的所述公切线来规定所述植入和照射区域。

7.如权利要求5所述的离子植入设备，其中，为了在对所述晶圆进行离子植入期间，即使在离子流量发生微小变化的情况下，也确保离子植入量的晶圆面内均匀性并提高晶圆产量，所述控制器规定植入和照射区域，其中由包括所述晶圆机械慢速扫描方向上的晶圆直径的直线一分为二的所述植入和照射区域的一侧具有矩形形状，而所述植入和照射区域的另一侧具有由所述公切线规定的形状。

8.如权利要求6所述的离子植入设备，还包括：

测量单元，所述测量单元测量所述晶圆机械慢速扫描方向上的晶圆扫描位置，

其中，在与所述晶圆机械慢速扫描方向正交的方向上阶段性地设定多个束扫描终止端位置，并且

其中，在不停止对所述晶圆的所述离子植入的情况下，根据所述测量单元测量的所述晶圆机械慢速扫描方向上的晶圆扫描位置，所述控制器阶段性地改变所述束扫描终止端位置的设定值，由此将离子植入到所述晶圆的整个表面中。