[发明专利]双面太阳能电池的构造及其制作方法

权利要求书

1.一种双面太阳能电池的构造，其特征在于：太阳能电池的正面（1）设有平面式PN结，背面（2）设有螺旋型PN结组，所述平面式PN结的N区（11）上设有负电极（12），所述螺旋型PN结组包括有第一螺旋型PN结（21）、第二螺旋型PN结（22）、第三螺旋型PN结（23）和第四螺旋型PN结（24），呈田字形分布；所述第一螺旋型PN结（21）、第二螺旋型PN结（22）、第三螺旋型PN结（23）和第四螺旋型PN结（24）主要由螺旋型P区（25）和螺旋型N区（26）组成，且所述螺旋型P区（25）和螺旋型N区（26）上分别设有正电极（27）和负电极（28）；其中，

所述第一螺旋型PN结（21）和第二螺旋型PN结（22）的螺旋型P区（25）的外围端部重合，所述第三螺旋型PN结（23）和第四螺旋型PN结（24）的螺旋型P区（25）的外围端部重合，且所述正电极（27）相互连接导通；

所述第一螺旋型PN结（21）和第三螺旋型PN结（23）的螺旋型N区（26）的外围重合，所述第二螺旋型PN结（22）和第四螺旋型PN结（24）的螺旋型N区（26）的外围重合，且其负电极（28）与所述正面（1）的平面式PN结的N区（11）上的负电极（12）连接导通。

2.根据权利要求1所述的双面太阳能电池的构造，其特征在于：所述第一螺旋型PN结（21）和第三螺旋型PN结（23）的螺旋型N区（26）的外围重合部分与所述第二螺旋型PN结（22）和第四螺旋型PN结（24）螺旋型N区（26）的外围重合部分通过电池四周的n型层连接，且所述背面（2）的螺旋型N区（26）的负电极（28）与所述正面（1）的N区（11）上的负电极（12）相互投影的交叉处设有通孔（29），所述通孔（29）内填充有导通连接所述负电极（28）和所述正面（1）的负电极（12）的电极材料，将焊接的负电极引至所述背面（2）。

3.根据权利要求2所述的双面太阳能电池的构造，其特征在于：所述通孔（29）的孔径大小与所述螺旋型N区（26）的负电极（28）和所述正面（1）的N区（11）上的负电极（12）相当。

4.一种双面太阳能电池的构造的制作方法，其特征在于：包括有以下步骤：

a.在P型硅片上制作通孔（29）；

b.对硅片的正面和背面的表面进行制绒处理；

c.对硅片依次进行网版印制光刻胶、爆光、加热固化和真空加热处理，在背面形成扩散阻拦层；

d.把硅片浸入加热的刻光胶剥离液中，将硅片表面的光刻胶剥离; 

e.对硅片进行扩散处理，使其正面和背面形成n型扩散层；

f.对硅片的正面和背面生成的磷硅玻璃层去除，并进行镀膜处理，形成氮化硅薄膜；

g.在硅片的正面和背面印制正电极和负电极，并烧结。

5.根据权利要求4所述的双面太阳能电池的构造的制作方法，其特征在于：所述对硅片的正面和背面的表面进行制绒处理，具体为：在纯水中加入NaOH 、异丙醇及制绒添加剂，在75℃～85℃条件腐蚀15 min～28min，由于硅片晶向中的<100>面比<111>面的腐蚀速率快，使硅片的正面和背面的表面形成金字塔的绒面结构。

6.根据权利要求5所述的双面太阳能电池的构造的制作方法，其特征在于：所述对硅片依次进行网版印制光刻胶、爆光、加热固化和真空加热处理，在背面形成扩散阻拦层，具体为：在硅片制绒后，首先对硅片进行烘干除去水气，接着在暗室内用预制好图案的网版将光刻胶均匀地印制在硅片的背面预设的n型区上，并对硅片进行爆光、在烘箱内加热固化光刻胶，然后将两片硅片的正面相对地叠合放入真空炉管中，通入氧气进行加热，使硅片的背面未被光刻胶覆盖的p型区上方生成一层厚0.5um～2um的SiO2层，作为扩散阻拦层。

7.根据权利要求6所述的双面太阳能电池的构造的制作方法，其特征在于：所述对硅片进行扩散处理，使其正面和背面形成n型扩散层，具体为：将硅片放置于石英舟中，推入扩散炉管，在真空的环境下加热至830℃～900℃，先通入氮气和氧气在硅片表面生成一层薄的氧化层，接着通入氧气和携带POCl3的氮气加热30min～50min，在硅片正背两面生成方阻为45Ω～70Ω的n型扩散层。