[发明专利]一种增强光器件光纤插芯和光纤耦合性能的方法无效

专利信息
申请号: 201210556882.0 申请日: 2012-12-20
公开(公告)号: CN103018846A 公开(公告)日: 2013-04-03
发明(设计)人: 吴晟 申请(专利权)人: 索尔思光电(成都)有限公司
主分类号: G02B6/38 分类号: G02B6/38
代理公司: 四川力久律师事务所 51221 代理人: 林辉轮;王芸
地址: 611731 四川省成都市高新区西*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 增强 器件 光纤 耦合 性能 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及光器件领域,特别涉及一种增强光器件光纤插芯和光纤耦合性能的方法。

背景技术

传统的光器件光纤插芯和单模光纤耦合连接时,如图1所示,采用的光器件光纤插芯的孔径与单模光纤的孔径是一样的,一般均为8.3μm,由于在实际耦合连接时光器件的光纤插芯和光纤无法实现理论上的对齐,这样就会造成在光功率耦合测试时光纤插芯在四方向插接测试时的耦合结果差异很大,扭转测试表现不佳,光器件光纤插芯和光纤耦合插接的扭转性能较差。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术中所存在的上述不足,提供一种增强光器件光纤插芯和光纤耦合性能的方法。所述方法通过减少现有的光器件光纤插芯的孔径大小,降低了光器件光纤插芯和光纤耦合连接时的对齐要求,减少了不同方向耦合插接的耦合效率差异,实现了更平坦的光器件光纤插芯和光纤耦合效率曲线,提高了光器件光纤插芯和光纤耦合插接的扭转性能。

为了实现上述发明目的,本发明提供了以下技术方案:

一种增强光器件光纤插芯和光纤耦合性能的方法,其特征在于包括:

将与光纤耦合的光器件光纤插芯的孔径减少至明显小于光纤的孔径;

增大光发射器的发射功率或提高光发射器与光器件光纤插芯的耦合效率,以使通过光纤耦合到光器件光纤插芯、或通过光器件光纤插芯耦合到光纤的光功率达到正常标准。

优选的,所述光纤的孔径为8.3μm。

优选的,将光器件光纤插芯的孔径减少至不大于7μm。

优选的,将光器件光纤插芯的孔径减少至不大于6μm。

优选的,将光器件光纤插芯的孔径减少至不大于5μm。

与现有技术相比,本发明的有益效果:降低了光器件光纤插芯和光纤耦合连接时的对齐要求,减少了不同方向耦合插接的耦合效率差异,实现了更平坦的光器件光纤插芯和光纤耦合效率曲线,提高了耦合插接的扭转性能。

附图说明:

图1为现有技术示意图;

图2为本发明实施例Y向偏移耦合测试曲线图;

图3为本发明实施例Y向倾斜角耦合测试曲线图。

具体实施方式

下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。

根据背景技术介绍,以传统采用的光器件光纤插芯的孔径与单模光纤的孔径一样均为8.3μm,在实际耦合连接时光器件的光纤插芯和光纤无法实现理论上的对齐,从而造成不同方向耦合插接时耦合效率差异大、插接扭转性能较差。

本发明实施例将与光纤耦合的光器件光纤插芯的孔径减少至明显小于光纤的孔径,例如分别减少至7μm、6μm、5μm,由于减少了光纤插芯的孔径,耦合效率将有所降低,这时通过增大光发射器的发射功率或提高光发射器与光器件光纤插芯的耦合效率,以使通过光纤耦合到光器件光纤插芯、或通过光器件光纤插芯耦合到光纤的光功率达到正常标准,或者对于一些对光功率要求不高的场合,这种方法带来的耦合效率下降可以接受。

本发明实施例的光耦合效率具体测试结果如图2、图3所示,图2为本发明实施例Y向(横向)偏移耦合测试曲线图,图3为本发明实施例Y向(横向)倾斜角耦合测试曲线图。从图2、图3可以看出,通过本发明实施例,在光器件光纤插芯的孔径由原8.3μm分别减少至7μm、6μm、5μm时,光器件光纤插芯和光纤在Y向偏移、Y向倾斜的情况下的耦合效率曲线更加平坦,也就是说可以明显减少不同方向耦合插接时由于对齐度不一致所带来的耦合效率差异,提高光器件光芯插芯和光纤耦合插接的扭转性能。

本说明书中公开的所有特征,或公开的所有方法或过程中的步骤,除了互相排斥的特征和/或步骤以外,均可以以任何方式组合。

本说明书(包括任何附加权利要求、摘要和附图)中公开的任一特征,除非特别叙述,均可被其他等效或具有类似目的的替代特征加以替换。即,除非特别叙述,每个特征只是一系列等效或类似特征中的一个例子而已。本发明并不局限于前述的具体实施方式,本发明可扩展到任何在本说明书中披露的新特征或任何新的组合,以及披露的任一新的方法或过程的步骤或任何新的组合。 

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