[发明专利]掩模板、曝光设备最佳焦距的监控方法有效

专利信息
申请号: 201210556659.6 申请日: 2012-12-20
公开(公告)号: CN103076715B 公开(公告)日: 2017-08-08
发明(设计)人: 谭露璐;赵新民;金乐群;周孟兴 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: G03F1/44 分类号: G03F1/44;G03F7/20
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 骆苏华
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 模板 曝光 设备 最佳 焦距 监控 方法
【权利要求书】:

1.一种曝光设备最佳焦距的监控方法,其特征在于,包括:

提供具有监控图形的掩模板,所述掩模板包括基板;位于基板上的监控图形,所述监控图形包括正方形本体和位于正方形本体的四周侧壁的矩形凸起部,所述矩形凸起部为若干平行的光栅条;

提供待曝光晶圆,所述待曝光晶圆上形成有光刻胶层;

对待曝光晶圆进行曝光之前,对曝光设备进行自动校准,获得曝光设备的第一最佳焦距;

以不同的焦距对所述待曝光晶圆进行曝光形成若干个曝光区,将掩模板上的监控图形转移到每一个曝光区,在每一个曝光区形成相应的光刻胶图形;

测量每一个曝光区中光刻胶图形的特征尺寸,获得特征尺寸最大值,对特征尺寸最大值对应的曝光区进行曝光时的焦距作为第二最佳焦距;

获得第一最佳焦距和第二最佳焦距的差值,所述差值作为焦距的偏移值,若焦距的偏移值位于偏移值的基准阈值范围内时,则曝光设备聚焦稳定,若否,则曝光设备的聚焦不稳定,其中,所述偏移值的基准阈值范围为:偏移值的基准值-(0.5~2)×偏移值的基准值~偏移值的基准值+(0.5~2)×偏移值的基准值。

2.如权利要求1所述的曝光设备最佳焦距的监控方法,其特征在于,矩形凸起部的长度等于正方形本体的边长,相邻光栅条的间距为0.05~0.15微米。

3.如权利要求2所述的曝光设备最佳焦距的监控方法,其特征在于,所述凸起部的长度与宽度之比为1:2~8:1。

4.如权利要求1所述的曝光设备最佳焦距的监控方法,其特征在于,所述监控图形的个数大于等于1个,每个监控图形的尺寸相同。

5.如权利要求4所述的曝光设备最佳焦距的监控方法,其特征在于,所述监控图形的个数为9个,监控图形呈九宫格排列。

6.如权利要求1所述的曝光设备最佳焦距的监控方法,其特征在于,所述以不同的焦距对所述待曝光晶圆进行曝光形成若干个曝光区时,所述焦距逐渐增大。

7.如权利要求6所述的曝光设备最佳焦距的监控方法,其特征在于,所述焦距呈等间距的逐渐增大。

8.如权利要求1所述的曝光设备最佳焦距的监控方法,其特征在于,当掩模板中的监控图形的数量大于1个时,相对应的每个曝光区中形成的光刻胶图形的数量大于1个时,所述特征尺寸最大值为:测量每个曝光区的同一个位置对应的光刻胶图形的特征尺寸,特征尺寸中的最大值为特征尺寸最大值。

9.如权利要求1所述的曝光设备最佳焦距的监控方法,其特征在于,当掩模板中的监控图形的数量大于1个时,相对应的每个曝光区中形成的光刻胶图形的数量大于1个,所述特征尺寸最大值为:测量每一个曝光区中所有光刻胶图形的特征尺寸,获得每个曝光区中的光刻胶图形的特征尺寸的平均值,平均值中的最大值为特征尺寸最大值。

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