[发明专利]双极化光控微波天线无效

专利信息
申请号: 201210555420.7 申请日: 2012-12-19
公开(公告)号: CN103178345A 公开(公告)日: 2013-06-26
发明(设计)人: 马塞尔·布莱奇 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H01Q3/44 分类号: H01Q3/44;H01Q15/14;H01Q15/24;H01Q19/10;H01Q21/00
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚;吴孟秋
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 极化 光控 微波 天线
【权利要求书】:

1.一种光控微波天线(10),包括:

i)天线阵列(12’),包括多个天线元件(18’),所述天线元件(18’)包括:

-波导(20’),用于以操作频率在第一开口端部分(22)与设置在第一端部对面的第二端部(24)之间引导微波辐射,所述第二端部(24)具有形成在所述第二端部(24)的至少一部分中的透光部分(25、45),

-两个光学可控半导体元件(32),设置在所述第二端部(24)的透光部分(25、45)前面的所述波导(20’)内,所述半导体元件(32)中的每一个在入射光的控制下改变其材料特性,特别是对所述操作频率的微波辐射的反射率,

-可控光源(34),设置在所述第二端部(24)的透光部分(25、45)处或附近,用于将受控光束(36)投射到所述半导体元件(32)上,以控制其材料特性,特别是其反射率,以及

-隔板(19),设置在所述第二端部(24)的透光部分(25、45)前面的所述波导(20’)内并将所述波导(20’)分为两个波导部分(201、202),其中,在每个波导部分(201、202)中设置有两个所述半导体元件(32)中的一个,以及

ii)馈源(14),用于利用所述操作频率的微波辐射(16)照射所述天线阵列(18’)和/或从所述天线阵列(18’)接收所述操作频率的微波辐射(16),以发送和/或接收微波辐射。

2.根据权利要求1所述的微波天线,

其中,所述波导(20’)具有方形截面且所述隔板(19)被设置为将所述波导(20’)分为所述波导部分(201、202),每个波导部分具有矩形截面,特别是相同的矩形截面。

3.根据权利要求1所述的微波天线,

其中,所述波导(20’)具有圆形或椭圆形截面且所述隔板(19)被设置为将所述波导(20’)分为所述波导部分(201、202),每个波导部分具有半圆形或半椭圆形截面,特别是相同的半圆形或半椭圆形截面。

4.根据前述任一项权利要求所述的微波天线,

其中,所述隔板(19)包括面向所述波导(20’)的第一端部的方向的阶形轮廓。

5.根据权利要求4所述的微波天线,

其中,所述隔板(19)包括具有多个台阶的阶形轮廓,所述多个台阶在3至10个范围内,特别是4至6个范围内。

6.根据前述任一项权利要求所述的微波天线,

其中,所述馈源(14)被配置为利用微波辐射(16)照射所述天线阵列(18’)和/或从所述天线阵列(18’)接收微波辐射(16),所述辐射(16)具有一种或两种不同的极化,特别是具有一种或两种不同的线性极化、圆极化或椭圆极化。

7.根据权利要求6所述的微波天线,

进一步包括馈源控制单元,用于控制所述馈源(14),以利用具有预定极化的微波辐射(16)照射所述天线阵列(18’)和/或从所述天线阵列(18’)接收具有预定极化的微波辐射(16)。

8.根据前述任一项权利要求所述的微波天线,

其中,所述半导体元件(32)被配置为在导体与电介质之间切换其材料特性,使所反射的微波信号的相位在所述波导(20’)中改变180°。

9.根据前述任一项权利要求所述的微波天线,

其中,所述半导体元件(32)被形成为设置在所述波导(20’)的两个相向侧壁(28、29)之间、特别是接触这两个相向侧壁的立柱。

10.根据权利要求9所述的微波天线,

其中,所述半导体元件(32)的宽度在所述波导的宽度的5%至50%的范围内,特别是在10%至30%的范围内。

11.根据权利要求9或10所述的微波天线,

其中,所述天线元件(18’a)进一步包括支撑元件(38),所述支撑元件(38)被配置为承载所述半导体元件(32)并被设置为在所述相向侧壁(28、29)之间与所述半导体元件(32)相邻。

12.根据权利要求2所述的微波天线,

其中,每个波导部分(20’)的矩形截面的宽度(w)在所述操作频率的微波辐射的波长的50%至90%的范围内,高度(h)在所述操作频率的微波辐射的波长的25%至40%的范围内。

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