[发明专利]一种硅酸锆陶瓷研磨介质及其制备方法无效
| 申请号： | 201210555149.7 | 申请日： | 2012-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN103011787A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 刘永胜 | 申请（专利权）人： | 淄博和润研磨材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/16 | 分类号： | C04B35/16;C09K3/14;C04B35/622 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 255086 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅酸 陶瓷 研磨 介质 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅酸锆陶瓷研磨介质，其特征在各原料组分的重量百分比如下：
锆英砂 60％～65％；
氧化铝 6％～13％；
硅微粉 6％～10％；
滑石 4％～8％；
二氧化钛 2％～4％；
高岭土 10％～12％；
稳定剂 1％～2％。
2.根据权利要求1所述的一种硅酸锆陶瓷研磨介质，其特征在于稳定剂为氧化钇或氧化铈。
3.根据权利要求1所述的一种硅酸锆陶瓷研磨介质，其特征在于研磨介质的化学成分中ZrO2+HfO2的百分比为40％～45％，SiO2的百分比为35％～40％。
4.一种硅酸锆陶瓷研磨介质的制备方法，其特征在于步骤如下：
1)将锆英砂、氧化铝、硅微粉、滑石、二氧化钛、高岭土湿法混合，水份控制在30％～35％，研磨至D90＜2μm；
2)加入稳定剂后放置2～4h；
3)将研磨好的料浆，通过离心式造粒，使其颗粒尺寸150目以下占到80％以上；
4)滚动成型，保证其生坯强度不低于2.8g/cm3；
5)干燥，在温度100℃以下干燥，使干燥后的坯体水分小于0.5％；
6)抑晶烧结，烧结温度为1300-1350℃，保温时间＜1h，以后强制冷却，使其在1-1.5h内降至1000℃以下。
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