[发明专利]非易失高抗单粒子的配置存储器单元

权利要求书

1.非易失高抗单粒子的配置存储器单元，包括组成4级DICE结构的8个MOS管、选通MOS管和PL板线，其特征在于，在DICE结构的4个节点中，至少有两个节点作为铁电连接节点，所述铁电连接节点是指通过铁电电容连接到PL板线的节点。

2.如权利要求1所述的非易失高抗单粒子的配置存储器单元，其特征在于，在DICE结构的4个节点中，前后两端的两个节点作为铁电连接节点。

3.如权利要求1所述的非易失高抗单粒子的配置存储器单元，其特征在于，在DICE结构的4个节点中，中间的两个节点作为铁电连接节点。

4.如权利要求1所述的非易失高抗单粒子的配置存储器单元，其特征在于，每一个铁电连接节点通过一个铁电电容连接到第一条PL板线，还通过另一个铁电电容连接到第二条PL板线。

5.如权利要求1所述的非易失高抗单粒子的配置存储器单元，其特征在于，在DICE结构的4个节点中，第一节点和第四节点为铁电连接节点，第一节点通过第九选通MOS管[M9]连接到第一位线[BL]，第二节点通过第十一选通MOS管[M11]连接到第二位线[～BL]，第三节点通过第十二选通MOS管[M12]连接到第一位线[BL]，第四节点通过第十选通MOS管[M10]连接到第二位线[～BL]，各选通MOS管的栅极接字线[WL]。