[发明专利]半导体器件和薄膜晶体管

权利要求书

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

栅极；

栅极绝缘层；

第一半导体氧化物层，包含含有第一半导体氧化物的第一组分；

第二半导体氧化物层，包含第二组分，第二组分与第一组分不同并且包含第一半导体氧化物或不同的第二半导体氧化物，第二组分含有不包含在第一组分中的至少一种添加组分，

其中，第一半导体氧化物层和第二半导体氧化物层在它们的共叠置区域彼此叠置，栅极至少与所述共叠置区域绝缘地叠置，栅极绝缘层位于栅极与第一半导体氧化物层和第二半导体氧化物层的共叠置区域之间；

源极，连接到第一半导体氧化物层和第二半导体氧化物层中的至少一个；和

漏极，连接到第一半导体氧化物层和第二半导体氧化物层中的至少一个，漏极与源极分隔开，

其中，第二组分的至少一种添加组分包含镓、硅、铌、铪和锗中的至少一种，

第一半导体氧化物是铟-锌-锡氧化物，

第二半导体氧化物是锌-锡氧化物。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，相对于第二组分的100原子百分比，添加组分的含量在1at.％至30at.％的范围内。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

第一半导体氧化物层和第二半导体氧化物层的各自的第一组分和第二组分通过相同的预定蚀刻剂能够同时蚀刻，

当通过预定蚀刻剂蚀刻时，第一组分和第二组分的蚀刻速率之间的差等于或小于

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

第二组分中锡的对应含量与第一组分中锡的对应含量之间的差等于或小于15at.％。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

第一半导体氧化物层和第二半导体氧化物层中的每个的各自的厚度分别在从至的范围内。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

第二半导体氧化物还包含铟。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

源极和漏极中的每个包括铜层，

源极和漏极中的每个直接接触第二半导体氧化物层。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

源极和漏极中的每个包括铜层，

源极和漏极中的每个直接接触第二半导体氧化物层。

9.一种薄膜晶体管阵列面板，所述薄膜晶体管阵列面板包括：

基底；

栅极，设置在基底上；

栅极绝缘层，使栅极绝缘；

第一半导体氧化物层和第二半导体氧化物层，都与栅极叠置，并且通过栅极绝缘层与栅极绝缘，第一半导体氧化物层和第二半导体氧化物层彼此电连接；

源极，连接到第二半导体氧化物层；

漏极，连接到第二半导体氧化物层，并且与源极分开；以及

像素电极，连接到漏极，

其中，第二半导体氧化物层包含能够产生效果的浓度的第一半导体氧化物层中不包含的至少一种添加元素，

所述至少一种添加元素是镓、硅、铌、铪和锗中的一种，

第一半导体氧化物包含铟-锌-锡氧化物，

第二半导体氧化物包含锌-锡氧化物。

10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，相对于第二半导体氧化物层的100原子百分比组分，添加元素的含量在1at.％至30at.％的范围内。

11.根据权利要求9所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，

第一半导体氧化物层和第二半导体氧化物层的各自的组分通过相同的预定蚀刻剂能够同时蚀刻，

当通过预定蚀刻剂蚀刻时，第一半导体氧化物层和第二半导体氧化物层的各自的组分的蚀刻速率之间的差等于或小于

12.根据权利要求11所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，

第二半导体氧化物层中锡的对应含量与第一半导体氧化物层中锡的对应含量之间的差等于或小于15at.％。

13.根据权利要求12所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，

第一半导体氧化物层和第二半导体氧化物层中的每个的各自的厚度分别在从至的范围内。

14.根据权利要求13所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，

第二半导体氧化物层包含铟。