[发明专利]一种光刻胶清洗剂组合物

说明书

技术领域

本发明涉及一种清洗剂组合物。 

背景技术

目前，清洗剂组合物主要由强碱、极性有机溶剂和/或水等组成，通过将半导体晶片浸入清洗剂中或者利用清洗剂冲洗半导体晶片，去除半导体晶片上的光刻胶。 

为了提高清洗剂对光刻胶和/或刻蚀所产生的光刻胶残余物的水解和/或溶解能力，化学清洗剂中的水有时是必需的。但水含量过高时，清洗剂对光刻胶和/或刻蚀所产生的光刻胶残余物的去除能力不足，且易造成晶片图案和基材的腐蚀。 

US4617251中提出了由醇胺和有机极性溶剂组成的清洗剂。将半导体晶片浸入该清洗剂中，在95℃下除去晶片上的正性光刻胶。但该清洗剂中不含有水，且其对负性光刻胶的清洗能力不足。 

综上所述，现有的清洗剂对厚度较高的光刻胶的清洗能力不足，或者对半导体晶片图案和基材的腐蚀性较强，存在较大的缺陷。 

发明内容

本发明提供一种对光刻胶清洗能力强且对半导体晶片图案和基材腐蚀性较低、利于环保的清洗剂组合物。 

本发明解决上述技术问题所采用的技术方案是：一种光刻胶清洗剂组合物，由以下重量份的组分组成，季铵氢氧化物5-15份、烷基二醇芳基醚10-15份、二甲基亚砜11-15份、六缩异丙二醇单苯基醚5-16份、烷基二醇芳基醚4-13份、柠檬酸三己酯2-8份、铬酸酐3-5份、氧化铜2-6份、氧化钛1-5份、硅酸油3-7份、三氯三氟乙烷4-9份、甲醇10-20份、水20-25份。

本发明的光刻胶清洗剂组合物可在较宽的温度范围内使用(20～85℃之间)。清洗方法可参照如下步骤：将含有光刻胶的半导体晶片浸入清洗剂组合物中，在20～85℃下利用恒温振荡器缓慢振荡，然后经去离子水洗涤后用高纯氮气吹干。 

本发明的积极进步效果在于： 

本发明中的清洗剂组合物对光刻胶尤其是高交联度的负性光刻胶具有清洗能力。 

具体实施方式

实施例1 

一种光刻胶清洗剂组合物，由以下重量份的组分组成，季铵氢氧化物5份、烷基二醇芳基醚10份、二甲基亚砜11份、六缩异丙二醇单苯基醚5份、烷基二醇芳基醚4份、柠檬酸三己酯2份、铬酸酐3份、氧化铜2份、氧化钛1份、硅酸油3份、三氯三氟乙烷4份、甲醇10份、水20份。

实施例2

一种光刻胶清洗剂组合物，由以下重量份的组分组成，季铵氢氧化物15份、烷基二醇芳基醚15份、二甲基亚砜15份、六缩异丙二醇单苯基醚16份、烷基二醇芳基醚13份、柠檬酸三己酯8份、铬酸酐5份、氧化铜6份、氧化钛5份、硅酸油7份、三氯三氟乙烷9份、甲醇20份、水25份。

实施例3

一种光刻胶清洗剂组合物，由以下重量份的组分组成，季铵氢氧化物8份、烷基二醇芳基醚13份、二甲基亚砜14份、六缩异丙二醇单苯基醚9份、烷基二醇芳基醚6份、柠檬酸三己酯5份、铬酸酐4份、氧化铜3份、氧化钛2份、硅酸油5份、三氯三氟乙烷7份、甲醇15份、水22份。