[发明专利]LED驱动器电路及具有所述LED驱动器电路的发光设备在审
申请号: | 201210553863.2 | 申请日: | 2012-12-19 |
公开(公告)号: | CN103188854A | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
发明(设计)人: | 金贤订;柳英起 | 申请(专利权)人: | 美格纳半导体有限公司 |
主分类号: | H05B37/02 | 分类号: | H05B37/02 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩明星;李柱天 |
地址: | 韩国忠清*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | led 驱动器 电路 有所 发光 设备 | ||
1.一种使用发光二极管LED装置的发光设备,所述发光设备包括:
LED阵列,包括操作性地彼此串联连接的LED装置;
输入单元,被配置为接收交流AC电源信号;
整流器电路,被配置为对由输入单元接收的AC电源信号进行全波整流并将经全波整流的AC电源信号提供给LED阵列;
控制电路,被配置为根据经全波整流的AC电源信号的电压电平选择性地使LED装置发光,
其中,控制电路包括:
开关元件,被配置为选择性地将LED装置之间的节点强制接地;
比较器,被配置为根据经全波整流的AC电源信号的电压电平闭合所述开关元件之一。
2.如权利要求1所述的发光设备,还包括:
转换器,被配置为将经全波整流的AC电源信号转换为具有预设电平的直流DC电源信号;
参考电压产生器,被配置为基于来自转换器的DC电源信号产生具有不同电压电平的参考电压。
3.如权利要求2所述的发光设备,其中,转换器是结型场效应晶体管JFET。
4.如权利要求3所述的发光设备,其中,JFET包括被配置为接收经全波整流的AC电源信号的漏极、被配置为接地的栅极以及被配置为输出具有预设电平的DC电源信号的源极。
5.如权利要求1所述的发光设备,其中,开关元件包括n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管nMOS。
6.如权利要求2所述的发光设备,其中,LED阵列包括:
第一LED装置,包括被配置为接收经全波整流的AC电源信号的阳极;
第二LED装置,包括操作性地连接到第一LED装置的阴极的阳极。
7.如权利要求6所述的发光设备,其中,开关元件包括:
第一开关元件,包括公共地连接到第一LED装置的阴极和第二LED装置的阳极的一端以及通过电阻器接地的另一端;
第二开关元件,包括连接到第二LED装置的阴极的一端以及通过电阻器接地的另一端。
8.如权利要求7所述的发光设备,其中,参考电压产生器产生第一参考电压和包括比第一参考电压更高的电压电平的第二参考电压。
9.如权利要求8所述的发光设备,其中,比较器包括:
第一比较器,当第一参考电压高于第一开关元件的所述另一端的电压时,闭合第一开关元件;
第二比较器,当第二参考电压高于第二开关元件的所述另一端的电压时,闭合第二开关元件。
10.一种被配置为驱动LED装置的LED驱动器电路,所述LED驱动器电路包括:
转换器,被配置为将经全波整流的AC电源信号转换为具有预设电平的DC电源信号;
参考电压产生器,被配置为基于来自转换器的DC电源信号产生包括不同电压电平的参考电压;
开关元件,被配置为选择性地将LED装置之间的节点强制接地;
比较器,被配置为将经全波整流的AC电源信号的电压电平与参考电压比较以闭合所述开关元件之一。
11.如权利要求10所述的LED驱动器电路,其中,转换器包括JFET。
12.如权利要求11所述的LED驱动器电路,其中,JFET包括被配置为接收经全波整流的AC电源信号的漏极、被配置为接地的栅极以及被配置为输出具有预设电平的DC电源信号的源极。
13.如权利要求10所述的LED驱动器电路,其中,开关元件包括nMOS。
14.如权利要求10所述的LED驱动器电路,其中,
LED装置包括:
第一LED装置,被配置为包括接收经全波整流的AC电源信号的阳极;
第二LED装置,被配置为包括操作性地连接到第一LED装置的阴极的阳极;
开关元件包括:
第一开关元件,被配置为包括公共地连接到第一LED装置的阴极和第二LED装置的阳极的一端以及通过电阻器接地的另一端;
第二开关元件,被配置为包括连接到第二LED装置的阴极的一端以及通过电阻器接地的另一端。
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