[发明专利]一种表面掺杂Au或Pt纳米晶的敏感膜的制备方法

权利要求书

1.一种表面掺杂Au或Pt内米晶的敏感膜的制备方法，其特征在于，该方法先在耐高温衬底上生长一层SnO₂或ZnO敏感膜，然后在该SnO₂或ZnO敏感膜上生长一层Au或Pt，最后在退火炉里退火得到表面掺杂Au或Pt内米晶的SnO₂或ZnO敏感膜。

2.根据权利要求1所述的表面掺杂Au/Pt纳米晶的敏感膜的制备方法，其特征在于，所述耐高温衬底为SiO₂或Al₂O₃衬底。

3.根据权利要求1所述的表面掺杂Au/Pt纳米晶的敏感膜的制备方法，其特征在于，所述在耐高温衬底上生长一层SnO₂或ZnO敏感膜，是采用电子束蒸发或者磁控溅射的方式实现的。

4.根据权利要求1所述的表面掺杂Au/Pt纳米晶的敏感膜的制备方法，其特征在于，所述在耐高温衬底上生长一层SnO₂或ZnO敏感膜，SnO₂或ZnO敏感膜的厚度为10nm-5000nm。

5.根据权利要求1所述的表面掺杂Au/Pt纳米晶的敏感膜的制备方法，其特征在于，所述在该SnO₂或ZnO敏感膜上生长一层Au或Pt，是采用电子束蒸发的方式实现的。

6.根据权利要求1所述的表面掺杂Au/Pt纳米晶的敏感膜的制备方法，其特征在于，所述在该SnO₂或ZnO敏感膜上生长一层Au或Pt，Au或Pt的厚度为

7.根据权利要求1所述的表面掺杂Au/Pt纳米晶的敏感膜的制备方法，其特征在于，所述在退火炉里退火，是将表面生长有Au或Pt的SnO₂或ZnO敏感膜放入温度为550℃-1000℃的退火炉里退火30分钟至3小时。