[发明专利]一种清洁等离子体反应腔侧壁的方法

权利要求书

1.一种清洁等离子体反应腔侧壁的方法，其特征在于：所述方法包括：

第一步骤：在反应腔内通入含氧的清洁气体，调节等离子体反应室的射频功率至第一射频功率，含氧的清洁气体在第一射频功率的作用下电离形成氧正离子和氧自由基等粒子；

第二步骤：调节等离子体反应室的射频功率至第二射频功率，所述第二射频功率低于所述第一射频功率，所述含氧的清洁气体不再电离或者电离较少的氧离子和氧自由基，所述氧离子消失或以较小浓度存在，所述第一步骤和所述第二步骤交替进行。

2.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于：所述的含氧的清洁气体包括O₂、N₂O、O₃、CO₂中的一种或几种混合。

3.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于：所述第一步骤的持续时间占第一步骤持续时间和第二步骤持续时间总和的10%~90%，所述第二步骤的持续时间≤10ms。

4.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于：所述第一射频功率大于300w小于1500w，所述第二射频功率≤300w。

5.根据权利要求4所述的清洁方法，其特征在于：所述第一射频功率为500w，所述第二射频功率为0w。

6.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于：所述第一步骤开始前，移出所述反应腔内加工完成的基片；调节所述反应腔内压力范围为100Mt~600Mt，所述气体流速范围为500sccm~2000sccm。

7.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于：所述反应腔内的参数为：所述第一步骤的持续时间占第一步骤持续时间和第二步骤持续时间总和的50%，第一射频功率为500w，第二射频功率为0w，压力为500Mt，气体流速为2000sccm。

8.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于：所述反应腔内的参数为：所述第一步骤的持续时间占第一步骤持续时间和第二步骤持续时间总和的10%，第一射频功率为1500w，第二射频功率为300w，压力300Mt，清洁气体流速1000sccm。

9.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于：所述反应腔内的参数为：所述第一步骤的持续时间占第一步骤持续时间和第二步骤持续时间总和的90%，第一射频功率为1000w，第二射频功率为100w，压力500Mt，清洁气体流速2000sccm。

10.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于：所述等离子体反应腔侧壁的聚合物主要为碳氟聚合物，所述氧正离子和所述氧自由基与所述碳氟聚合物发生化学反应生成碳氧气体和小分子碳氟气体等，排出反应腔内。