[发明专利]选通移位寄存器以及包括选通移位寄存器的显示装置有效
| 申请号: | 201210553504.7 | 申请日: | 2012-12-19 |
| 公开(公告)号: | CN103700333A | 公开(公告)日: | 2014-04-02 |
| 发明(设计)人: | 金彬 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号: | G09G3/20 | 分类号: | G09G3/20;G11C19/28 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;刘久亮 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 移位寄存器 以及 包括 显示装置 | ||
1.一种选通移位寄存器,所述选通移位寄存器包括彼此级联的多个级,所述多个级中的第n级包括:
上拉晶体管,所述上拉晶体管根据Q节点的电势输出选通移位时钟中的任一个作为选通高电压的第n扫描脉冲;
下拉晶体管,所述下拉晶体管通过输出节点连接到所述上拉晶体管,并且根据QB节点的电势输出低电势电压作为选通低电压的第n扫描脉冲;以及
开关电路,所述开关电路响应于设置信号和重置信号分别对Q节点和QB节点进行充电和放电或者分别对Q节点和QB节点进行放电和充电,
其中,所述QB节点被施加有被适应性地调整为对应于所述下拉晶体管的所述阈值电压的偏移的可变高电势电压。
2.根据权利要求1所述的选通移位寄存器,其中,所述可变高电势电压被调整为与所述下拉晶体管的所述阈值电压的偏移成比例地逐渐增大。
3.根据权利要求2所述的选通移位寄存器,其中,所述可变高电势电压被调整为以步进方式在每个预定时段增大。
4.根据权利要求1所述的选通移位寄存器,其中,所述QB节点包括交替地在每个预定时段激活的QBo节点和QBe节点;
所述下拉晶体管包括第一下拉晶体管和第二下拉晶体管,所述第一下拉晶体管和所述第二下拉晶体管并行地连接在输出节点No与所述低电势电压的输入端子之间并且交替地输出所述低电势电压作为所述选通低电压的第n扫描脉冲;
所述开关电路响应于所述设置信号和所述重置信号交替地执行第一操作和第二操作,所述第一操作用于分别对所述Q节点和所述QBo节点进行充电和放电或者分别对所述Q节点和所述QBo节点进行放电和充电,并且所述第二操作用于分别对所述Q节点和所述QBe节点进行充电和放电或者分别对所述Q节点和所述QBe节点进行放电和充电;以及
所述QBo节点被施加有被适应性地调整为对应于所述第一下拉晶体管的所述阈值电压的偏移的第一可变高电势电压,并且所述QBe节点被施加有被适应性地调整为对应于所述第二下拉晶体管的所述阈值电压的偏移的第二可变高电势电压。
5.根据权利要求4所述的选通移位寄存器,其中,所述第一可变高电势电压和所述第二可变高电势电压被调整为与所述第一下拉晶体管和所述第二下拉晶体管的所述阈值电压的偏移成比例地逐渐增大。
6.根据权利要求5所述的选通移位寄存器,其中,所述第一可变高电势电压和所述第二可变高电势电压被调整为以步进方式在每个预定时段增大。
7.根据权利要求1所述的选通移位寄存器,其中,所述设置信号是同一帧内早于所述第n扫描脉冲生成的扫描脉冲中的任一个,并且所述重置信号是同一帧内晚于所述第n扫描脉冲生成的扫描脉冲中的任一个。
8.一种显示装置,所述显示装置包括选通移位寄存器,所述显示装置包括:
显示面板;
选通移位寄存器,所述选通移位寄存器包括彼此级联的多个级并且将扫描脉冲顺序地提供到所述显示面板的扫描线;
阈值电压感测电路,所述阈值电压感测电路包括监视TFT和检测TFT并且输出感测电压;以及
VDD调节器电路,所述VDD调节器电路计算所述多个级中的每个级中包括的下拉晶体管的阈值电压,基于计算出的所述阈值电压适应性地调整可变高电势电压,并且将反馈给予所述阈值电压感测电路,
所述多个级中的第n级包括:
上拉晶体管,所述上拉晶体管根据Q节点的电势输出选通移位时钟中的任一个作为选通高电压的第n扫描脉冲;
下拉晶体管,所述下拉晶体管通过输出节点连接到所述上拉晶体管,并且根据QB节点的电势输出低电势电压作为选通低电压的第n扫描脉冲;以及
开关电路,所述开关电路响应于设置信号和重置信号分别对所述Q节点和所述QB节点进行充电和放电或者分别对所述Q节点和所述QB节点进行放电和充电,
其中,所述QB节点被施加有被适应性地调整为对应于所述下拉晶体管的所述阈值电压的偏移的可变高电势电压。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述可变高电势电压被调整为与所述下拉晶体管的所述阈值电压的偏移成比例地逐渐增大。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述可变高电势电压被调整为以步进方式在每个预定时段增大。
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