[发明专利]应用石墨烯的结构及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201210552932.8 申请日: 2012-12-18
公开(公告)号: CN103871684A 公开(公告)日: 2014-06-18
发明(设计)人: 汉述仁;曹庆 申请(专利权)人: HCGT有限公司
主分类号: H01B13/00 分类号: H01B13/00;H01B5/00
代理公司: 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 代理人: 许志勇
地址: 美国纽约州*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 应用 石墨 结构 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种应用石墨烯的制造方法,其特征在于,包括步骤:

形成一石墨烯层于一金属层的一面;

形成一保护层于该石墨烯层相对于该金属层的另一面,使该石墨烯层的位置介于该金属层与该保护层之间;

将该保护层、该石墨烯层与该金属层设置于一基板的一面;

自该石墨烯层移除该金属层;及

形成一导电层于该石墨烯层相对于该保护层的一面。

2.如权利要求1所述的应用石墨烯的制造方法,其特征在于,另包括步骤:

化学掺杂一掺杂剂于该石墨烯层之中,以降低该石墨烯层的阻抗。

3.如权利要求1所述的应用石墨烯的制造方法,其特征在于,该石墨烯层是以化学气相沉积法形成于该金属层的一面。

4.如权利要求1所述的应用石墨烯的制造方法,其特征在于,该保护层是以旋涂或造模切割的方式形成于该石墨烯层的一面。

5.如权利要求1所述的应用石墨烯的制造方法,其特征在于,该保护层为一压力吸收层。

6.如权利要求1所述的应用石墨烯的制造方法,其特征在于,将该保护层、该石墨烯层与该金属层设置于一基板的一面的该步骤,是将该保护层、该石墨烯层与该金属层所组成的结构翻转,使该保护层自最上层翻转至最底层,该金属层自最底层翻转至最上层,并将该保护层设置于该基板的一面。

7.如权利要求1所述的应用石墨烯的制造方法,其特征在于,该金属层的厚度是介于1到30微米之间,该石墨烯层的厚度是介于0.2到20纳米之间,该保护层的厚度是介于0.1到50微米之间,该基板的厚度是介于10到500微米之间。

8.如权利要求1所述的应用石墨烯的制造方法,其特征在于,该金属层为一铜质层或一镍质层。

9.一种应用石墨烯的结构,其特征在于,包括:

一基板;

一保护层,形成于该基板的一面;

一石墨烯层,形成于该保护层相对于该基板的另一面,以使该保护层保护该石墨烯层;及

一导电层,形成于该石墨烯层相对于该保护层的另一面,用以增加均匀度。

10.如权利要求9所述的一种应用石墨烯的结构,其中,该应用石墨烯的结构提供用来制造一太阳能电池、一发光二极体、一电池、一超级电容、一防静电设备、一电致变色设备、一电润湿设备或一触控面板。

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