[发明专利]应用石墨烯的结构及其制造方法无效
| 申请号: | 201210552932.8 | 申请日: | 2012-12-18 |
| 公开(公告)号: | CN103871684A | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
| 发明(设计)人: | 汉述仁;曹庆 | 申请(专利权)人: | HCGT有限公司 |
| 主分类号: | H01B13/00 | 分类号: | H01B13/00;H01B5/00 |
| 代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 许志勇 |
| 地址: | 美国纽约州*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 应用 石墨 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种应用石墨烯的制造方法,其特征在于,包括步骤:
形成一石墨烯层于一金属层的一面;
形成一保护层于该石墨烯层相对于该金属层的另一面,使该石墨烯层的位置介于该金属层与该保护层之间;
将该保护层、该石墨烯层与该金属层设置于一基板的一面;
自该石墨烯层移除该金属层;及
形成一导电层于该石墨烯层相对于该保护层的一面。
2.如权利要求1所述的应用石墨烯的制造方法,其特征在于,另包括步骤:
化学掺杂一掺杂剂于该石墨烯层之中,以降低该石墨烯层的阻抗。
3.如权利要求1所述的应用石墨烯的制造方法,其特征在于,该石墨烯层是以化学气相沉积法形成于该金属层的一面。
4.如权利要求1所述的应用石墨烯的制造方法,其特征在于,该保护层是以旋涂或造模切割的方式形成于该石墨烯层的一面。
5.如权利要求1所述的应用石墨烯的制造方法,其特征在于,该保护层为一压力吸收层。
6.如权利要求1所述的应用石墨烯的制造方法,其特征在于,将该保护层、该石墨烯层与该金属层设置于一基板的一面的该步骤,是将该保护层、该石墨烯层与该金属层所组成的结构翻转,使该保护层自最上层翻转至最底层,该金属层自最底层翻转至最上层,并将该保护层设置于该基板的一面。
7.如权利要求1所述的应用石墨烯的制造方法,其特征在于,该金属层的厚度是介于1到30微米之间,该石墨烯层的厚度是介于0.2到20纳米之间,该保护层的厚度是介于0.1到50微米之间,该基板的厚度是介于10到500微米之间。
8.如权利要求1所述的应用石墨烯的制造方法,其特征在于,该金属层为一铜质层或一镍质层。
9.一种应用石墨烯的结构,其特征在于,包括:
一基板;
一保护层,形成于该基板的一面;
一石墨烯层,形成于该保护层相对于该基板的另一面,以使该保护层保护该石墨烯层;及
一导电层,形成于该石墨烯层相对于该保护层的另一面,用以增加均匀度。
10.如权利要求9所述的一种应用石墨烯的结构,其中,该应用石墨烯的结构提供用来制造一太阳能电池、一发光二极体、一电池、一超级电容、一防静电设备、一电致变色设备、一电润湿设备或一触控面板。
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