[发明专利]经颅磁刺激线圈的半导体冷却装置有效
申请号: | 201210552847.1 | 申请日: | 2012-12-18 |
公开(公告)号: | CN103028193A | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | 杨亦铮 | 申请(专利权)人: | 深圳英智科技有限公司 |
主分类号: | A61N2/04 | 分类号: | A61N2/04 |
代理公司: | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人: | 胡海国 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 经颅磁 刺激 线圈 半导体 冷却 装置 | ||
1.一种经颅磁刺激线圈的半导体冷却装置,设置在刺激线圈结构上,所述刺激线圈结构包括壳体、倒U型的磁芯及两刺激线圈,所述磁芯的两端分别插入两刺激线圈的中心孔内;其特征在于,该半导体冷却装置包括:半导体制冷片及外散热器,所述半导体制冷片具有冷端和与所述冷端串联的热端,所述冷端和热端分别设置在所述壳体的内外侧,冷端朝向需要制冷的刺激线圈端,热端与所述外散热器紧密连接;冷端从所述刺激线圈端吸收的热量,通过热端传递给所述外散热器向外散出。
2.根据权利要求1所述的经颅磁刺激线圈的半导体冷却装置,其特征在于,还包括位于所述壳体内的翼状的内散热片,所述内散热片为导热非磁性材料;所述冷端通过所述翼状的内散热片跨在所述刺激线圈及磁芯的上方。
3.根据权利要求2所述的经颅磁刺激线圈的半导体冷却装置,其特征在于,所述冷端通过导热硅脂紧密接触所述内散热片表面。
4.根据权利要求3所述的经颅磁刺激线圈的半导体冷却装置,其特征在于,所述壳体内于所述半导体制冷片的冷端与磁芯之间的空腔内设有冷却液。
5.根据权利要求4所述的经颅磁刺激线圈的半导体冷却装置,其特征在于,所述冷却液至少为惰性液体或高压绝缘油。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的经颅磁刺激线圈的半导体冷却装置,其特征在于,还包括用于检测及控制所述半导体制冷片的工作电流的恒温调节装置,当刺激线圈的温度升高时,所述恒温调节装置增加所述半导体制冷片的工作电流;当刺激线圈的温度降低时,所述恒温调节装置减少所述半导体制冷片的工作电流。
7.根据权利要求6所述的经颅磁刺激线圈的半导体冷却装置,其特征在于,所述恒温调节装置还用于当所述刺激线圈的温度超过额定值时,输出报警信号。
8.根据权利要求6所述的经颅磁刺激线圈的半导体冷却装置,其特征在于,所述恒温调节装置包括温度传感器和反馈控制电路,所述温度传感器与所述刺激线圈接触,用于检测该刺激线圈的温度;所述反馈控制电路与所述温度传感器及所述半导体制冷片的供电电路连接,用于根据所述温度传感器的检测结果调节所述半导体制冷片的工作电流。
9.根据权利要求1所述的经颅磁刺激线圈的半导体冷却装置,其特征在于,所述外散热器内设置有散热风扇。
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