[发明专利]穿硅孔堆叠结构以及其制作方法有效
| 申请号： | 201210552430.5 | 申请日： | 2012-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN103779324A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 林柏均 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 穿硅孔 堆叠 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种穿硅孔堆叠结构，其特征在于，包含多个叠合的基底，其中每个所述基底包含：
至少一渐缩式穿硅孔导体，贯穿所述基底，其中所述渐缩式穿硅孔导体具有一较粗端以及一较细端，所述较粗端具有一凹部从所述基底的一表面裸露而出，所述较细端从与所述基底的有源面相对的另一表面凸出；
其中所述多个基底以将一所述基底的每一所述穿硅孔导体的较细端装入另一所述基底的穿硅孔导体的较粗端上对应的所述凹部中的方式来逐一叠合。
2.根据权利要求1所述的穿硅孔堆叠结构，其特征在于，每一所述穿硅孔导体的所述较粗端与所述基底的表面齐平。
3.根据权利要求1所述的穿硅孔堆叠结构，其特征在于，更包含一导电质填满每一接合的所述凹部与所述较细端之间的空隙。
4.根据权利要求1所述的穿硅孔堆叠结构，其特征在于，更包含一介电质围绕在每一所述穿硅孔导体与所述基底之间。
5.根据权利要求1所述的穿硅孔堆叠结构，其特征在于，更包含一非导电性层设置在每一所述叠合的基底之间。
6.根据权利要求1所述的穿硅孔堆叠结构，其特征在于，更包含一保护性钝化层设置在每一所述叠合的基底之间。
7.根据权利要求1所述的穿硅孔堆叠结构，其特征在于，所述凹部呈渐缩形。
8.一种穿硅孔堆叠结构的制作方法，其特征在于，包含：
提供多个基底；
在每个所述基底的一表面上形成至少一渐缩式导孔；
在每个所述渐缩式导孔中填满一渐缩式穿硅孔导体；
在每个所述渐缩式穿硅孔导体的一较粗端上形成一凹部；
移除部分的所述基底，直到所述渐缩式穿硅孔导体的一较细端从所述基底的另一表面凸出为止；以及
以将一所述基底的每一穿硅孔导体的较细端装入另一所述基底的穿硅孔导体的较粗端上一对应的所述凹部中的方式将所述多个基底逐一叠合。
9.根据权利要求8所述的穿硅孔堆叠结构的制作方法，其特征在于，更包含在叠合所述多个基底之前在每个所述渐缩式穿硅孔导体的所述凸出的较细端上设置一导电质凸块。
10.根据权利要求9所述的穿硅孔堆叠结构的制作方法，其特征在于，所述导电质凸块借由一光刻胶涂布工艺以及一电镀工艺来形成。
11.根据权利要求8所述的穿硅孔堆叠结构的制作方法，其特征在于，更包含在所述基底的一表面上覆盖一介电层。
12.根据权利要求8所述的穿硅孔堆叠结构的制作方法，其特征在于，更包含在所述基底的一表面上覆盖一非导电性层。
13.根据权利要求8所述的穿硅孔堆叠结构的制作方法，其特征在于，所述渐缩式穿硅孔导体的较粗端上的所述凹部借由一光刻工艺以及一刻蚀工艺来形成。
14.根据权利要求8所述的穿硅孔堆叠结构的制作方法，其特征在于，移除部分所述基底的步骤是借由进行一选择性刻蚀工艺来达成。
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