[发明专利]半导体器件场氧化层的腐蚀方法无效

专利信息
申请号: 201210552385.3 申请日: 2012-12-18
公开(公告)号: CN103050395A 公开(公告)日: 2013-04-17
发明(设计)人: 王民涛 申请(专利权)人: 深圳深爱半导体股份有限公司
主分类号: H01L21/311 分类号: H01L21/311;H01L21/3115
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 吴平
地址: 518118 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件 氧化 腐蚀 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体器件场氧化层的腐蚀方法,包括下列步骤:

对晶圆上的场氧化层的表层进行离子注入,注入氩离子;

对所述晶圆进行阱区光刻;

湿法腐蚀所述场氧化层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件场氧化层的腐蚀方法,其特征在于,所述离子注入的氩离子的能量为60~100kev,剂量为1*1014~1*1015/平方厘米。

3.根据权利要求1所述的半导体器件场氧化层的腐蚀方法,其特征在于,所述湿法腐蚀的腐蚀剂为氧化层刻蚀缓冲液。

4.根据权利要求3所述的半导体器件场氧化层的腐蚀方法,其特征在于,所述腐蚀剂腐蚀时的温度为8~12摄氏度。

5.根据权利要求4所述的半导体器件场氧化层的腐蚀方法,其特征在于,所述温度为10摄氏度。

6.根据权利要求1所述的半导体器件场氧化层的腐蚀方法,其特征在于,所述半导体器件是垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管。

7.根据权利要求1所述的半导体器件场氧化层的腐蚀方法,其特征在于,所述半导体器件是绝缘栅双极型晶体管。

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