[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，所述阵列基板包括在栅金属层形成的第一数据短路条和在数据金属层形成的第二数据短路条，其特征在于，所述阵列基板还包括：

与所述第一数据短路条相连接的第一导电条，所述第一导电条的宽度大于a+c+d；

与所述第二数据短路条相连接、且与所述第一数据短路条不交叠的第二导电条，所述第二导电条的宽度大于b；

其中，a为所述第一数据短路条的宽度，b为所述第二数据短路条的宽度，c为所述第二导电条的宽度，d为所述第二导电条与所述第一数据短路条之间的水平间距。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导电条由第一透明导电层材料形成；所述第二导电条由有源层材料形成。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板具体包括：

基板；

位于所述基板上，由第一透明导电层形成的公共电极和所述第一导电条；

位于形成有所述公共电极和所述第一导电条的基板上，由栅金属层形成的栅线、栅电极、栅短路条和所述第一数据短路条，所述第一数据短路条与所述第一导电条直接连接；

位于形成有所述栅线、栅电极、栅短路条和所述第一数据短路条的基板上的栅绝缘层；

位于所述栅绝缘层上的有源层、欧姆接触层和由有源层材料形成的所述第二导电条；

位于所述有源层、欧姆接触层上，由数据金属层形成的数据线、源电极、漏电极和所述第二数据短路条，所述第二数据短路条通过欧姆接触层与所述第二导电条相连接；

位于形成有所述数据线、源电极、漏电极和所述第二数据短路条的基板上的钝化层，所述钝化层在对应所述漏电极的位置形成有钝化层过孔；

位于所述钝化层上由第二透明导电层形成的像素电极，所述像素电极通过所述钝化层过孔与所述漏电极连接。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一数据短路条为偶数据短路条，与阵列基板上偶数列的数据线通过过孔相连接；所述第二数据短路条为奇数据短路条，与阵列基板上奇数列的数据线直接连接；或者，

所述第一数据短路条为奇数据短路条，与阵列基板上奇数列的数据线通过过孔相连接；所述第二数据短路条为偶数据短路条，与阵列基板上偶数列的数据线直接连接。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一透明导电层和第二透明导电层采用氧化铟锡、铝掺杂氧化锌、锑掺杂氧化锡或铟掺杂氧化锌薄膜；

所述栅金属层和所述数据金属层采用W、Cr、Ti、Ta、Mo、Al或Cu的单层膜，或者W、Cr、Ti、Ta、Mo、Al和Cu任意组合所构成的复合膜。

6.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-5中任一项所述的阵列基板。

7.一种阵列基板的制造方法，所述阵列基板包括由栅金属层形成的第一数据短路条和由数据金属层形成的第二数据短路条，其特征在于，所述制造方法包括：

形成与所述第一数据短路条相连接的第一导电条，所述第一导电条的宽度大于a+c+d；

形成与所述第二数据短路条相连接、且与所述第一数据短路条不交叠的第二导电条，所述第二导电条的宽度大于b；

其中，a为所述第一数据短路条的宽度，b为所述第二数据短路条的宽度，c为所述第二导电条的宽度，d为所述第二导电条与所述第一数据短路条之间的水平间距。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

利用第一透明导电层材料形成所述第一导电条；

利用有源层材料形成所述第二导电条。