[发明专利]触控电极结构及其制程工艺有效

专利信息
申请号: 201210552359.0 申请日: 2012-12-18
公开(公告)号: CN103870044A 公开(公告)日: 2014-06-18
发明(设计)人: 刘振宇;李禄兴 申请(专利权)人: 宸鸿光电科技股份有限公司
主分类号: G06F3/041 分类号: G06F3/041
代理公司: 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 代理人: 江耀纯
地址: 中国台湾台北市内*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 电极 结构 及其 工艺
【说明书】:

技术领域

发明涉及触控技术,特别是涉及一种触控电极结构及其制造工艺。

背景技术

传统的触控电极结构制造工艺中,最主要的步骤包括电极结构的形成和连接电极结构的信号引线的形成,在这两个步骤中,分别需要用到用于定义电极图形的掩膜和用于定义信号引线连接区域的掩膜。在传统的制造工艺中,掩膜在完成以上制程步骤之后,一般都需要额外的步骤去除。

另一方面,为了使得触控电极结构在应用于触控显示装置时具有良好的视觉效果,在形成触控感测区结构之后,触控电极结构上通常需要增加额外的光学层,以调节触控装置的显示效果。

因此传统的触控电极结构制造工艺不但流程繁琐,而且在显示效果的调整方面需要付出额外的成本。

发明内容

基于此,有必要提供一种触控电极结构的制造工艺,其具有较少的工艺步骤且较好的视觉效果。

一种触控电极结构的制造工艺,包括步骤:

S1:准备一基板,且在该基板上界定一感测区与一围绕于该感测区的引线区;

S2:形成一电极层于该基板上;

S3:形成一第一防蚀刻光学层于该电极层上;

S4:蚀刻未被该第一防蚀刻光学层遮挡的该电极层,经蚀刻后的该电极层分为一蚀刻区与一非蚀刻区;

S5:形成一第二防蚀刻光学层于该第一防蚀刻光学层和该基板上,该第二防蚀刻光学层至少裸露部分位于该引线区内的该第一防蚀刻光学层;

S6:蚀刻未被该第二防蚀刻光学层遮挡的该第一防蚀刻光学层,裸露出位于该引线区内的该非蚀刻区的电极层;

S7:形成一信号引线,该信号引线设置于该引线区内,且电性连接该裸露的非蚀刻区的电极层。

采用前述工艺形成本发明的触控电极结构。

一种触控电极结构,包括:

一基板,该基板界定有一感测区与一围绕于该感测区的引线区;

一电极层,设置于该基板上,且该电极层分为一蚀刻区与一非蚀刻区;

一第一防蚀刻光学层,设置于该电极层的非蚀刻区上;

一第二防蚀刻光学层,设置于该第一防蚀刻光学层和该基板上,且该第一防蚀刻光学层与该第二防蚀刻光学层至少裸露部分位于该引线区内的该非蚀刻区的电极层;

一信号引线,设置于该引线区内,且电性连接该裸露的非蚀刻区的电极层。

通过调节第一防蚀刻光学层和第二防蚀刻层的折射率,可减轻蚀刻后蚀刻区和非蚀刻区存在的外观差异。此外,相比于传统的制造工艺,本实施例的工艺流程中没有涉及去除用于定义电极层的电极图形的掩膜以及去除用以定义信号引线的连接区域的掩膜的步骤,因此工艺步骤会更少,制程的时间也会更短,可以提高该工艺的效率。

附图说明

图1为一实施例触控电极结构的工艺流程图。

图2a~图2h为为图1所示工艺流程图中各个步骤所对应的触控电极结构的俯视图。

图2a’~图2f’、图2g’-1、图2h’-1分别为图2a~图2h沿B-B’方向的剖视图,图2g’-2、图2h’-2分别为图2g和图2h沿C-C’方向的剖视图。

图2i-1和图2i-2分别为一实施例触控电极结构蚀刻区与非蚀刻区的剖面图。

图3a~图3c为形成本发明另一实施例触控电极结构的俯视图。

图3a’、图3b’-1、图3c’-1分别为图3a~图3c沿B-B’的剖视图,图3b’-2、图3c’-2分为图3b和图3c沿C-C’方向的剖视图。

图4a~图4b为本发明第三实施例触控电极结构的俯视图。

图5为另一实施例触控电极结构的工艺流程图。

图6a为采用图5所示工艺流程图中部分步骤所对应的触控电极结构的俯视图;

图6a’-1为图6a沿B-B’的剖视图,图6a’-2为图6a沿C-C’的剖视图。

图7a为一种采用本发明触控显示装置的俯视图。

图7b为对应于图7a触控显示装置的剖面图。

图8a绘示了本发明又一实施例的触控电极结构。

图8b和图8c为对应于图8a的触控电极结构第二表面上触控组件的俯视图。

图9为采用一种图8a触控电极结构的触控显示装置的剖视图。

图10和图11为两种可用于本发明触控电极结构中电极层的图示。

具体实施方式

如图1所述,图1绘示了一种可用于制造本发明触控电极结构的工艺流程图。该制造工艺流程包括以下步骤。

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