[发明专利]垂直结构白光LED芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种垂直结构白光LED芯片的制备方法，其特征在于，包括：

S1.提供衬底；

S2.在所述衬底之上形成缓冲层；

S3.在所述缓冲层之上形成半导体发光结构；

S4.在所述半导体发光结构之上形成电流扩散层；

S5.在所述电流扩散层之上形成荧光粉涂覆层；

S6.在所述电流扩散层之上、所述荧光粉涂覆层之中形成第一电极；

S7.提供引入衬底，所述引入衬底作为支撑，倒置先前形成的外延结构，所述引入衬底在第一预设温度和外加电场下与所述荧光粉涂覆层和所述第一电极相固定；

S8.刻蚀所述衬底，蒸镀电极材料，在所述衬底之中形成第二电极；以及

S9.加热至第二预设温度，再快速冷却，将所述引入衬底与所述荧光粉涂覆层和所述第一电极分离，去除所述引入衬底。

2.如权利要求1所述的垂直结构白光LED芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤S3进一步包括：

S31.在所述缓冲层之上形成本征层；

S32.在所述本征层之上形成n型层；

S33.在所述n型层之上形成量子阱；

S34.在所述量子阱之上形成电子阻挡层；以及

S35.在所述电子阻挡层之上形成p型层。

3.如权利要求1所述的垂直结构白光LED芯片的制备方法，其特征在于，所述第一预设温度为300-700℃，所述第二预设温度为700-900℃。

4.如权利要求1所述的垂直结构白光LED芯片的制备方法，其特征在于，所述引入衬底与所述第一电极的热膨胀系数不同。

5.如权利要求1所述的垂直结构白光LED芯片的制备方法，其特征在于，所述衬底为蓝宝石、LiAlO₂或LiGaO₂。

6.如权利要求1所述的垂直结构白光LED芯片的制备方法，其特征在于，所述引入衬底为掺杂硅、掺杂锗硅或MgAl₂O₄。

7.如权利要求1所述的垂直结构白光LED芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤S7之后、所述步骤S8之前还包括：对所述衬底进行通过机械减薄处理或者化学减薄处理中的一种或多种处理。

8.如权利要求1所述的垂直结构白光LED芯片的制备方法，其特征在于，通过浸润液分滴并旋涂的方式制备所述荧光粉涂覆层。

9.一种垂直结构白光LED芯片，其特征在于，通过权利要求1-8任一项所述方法制成。