[发明专利]一种基于注入距离的电流源模型的建立方法无效

专利信息
申请号: 201210551771.0 申请日: 2012-12-18
公开(公告)号: CN102982216A 公开(公告)日: 2013-03-20
发明(设计)人: 李磊;周婉婷 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 代理人: 周永宏
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 注入 距离 电流 模型 建立 方法
【权利要求书】:

1.一种基于注入距离的电流源模型的建立方法,具体步骤如下:

S1.根据注入离子的种类,确定注入离子的线性传输能量;

S2.设定需要评估的注入距离;

S3.根据步骤S1得到的注入离子的线性传输能量和S2中设定的注入距离,得到注入电流表示式。

2.根据权利要求1所述的电流源模型的建立方法,其特征在于,步骤S3所述的注入电流表示式具体为:

Ip(t)=2ζQLddepDn,pπ(4Dat)3/2{(ds)exp[-(ds)2(4Dat)]+(ds+zs)exp[-(ds+zs)2(4Dat)]},]]>其中,QL=10(LET),LET为步骤S1得到的线性传输能量,ζ为器件收集电荷的双极性放大系数,ds为步骤S2设定的注入距离,ddep为收集电荷的深度,zs为调整参数,Dn,p为载流子的扩散率,Dn表示电子的扩散率,Dp表示空穴的扩散率,t为时间变量。

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