[发明专利]集成电路和在集成电路内提供静电放电保护的方法有效
申请号: | 201210551650.6 | 申请日: | 2012-12-18 |
公开(公告)号: | CN103165599B | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
发明(设计)人: | 法布里斯·布朗克;马赛友·保利;弗劳拉·波迪尔 | 申请(专利权)人: | ARM有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/60 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司11258 | 代理人: | 李晓冬 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 提供 静电 放电 保护 方法 | ||
1.一种集成电路,所述集成电路包含:
功能电路系统,所述功能电路系统包含被设置为执行该集成电路所需的处理功能的功能组件;及
接口电路系统,所述接口电路系统被设置为提供介于所述功能电路系统与所述集成电路的外部组件之间的接口;
所述集成电路由多个层形成,所述多个层包含组件级层、电力网层及中间层,所述组件级层内构造由标准单元形成的任何所述功能组件,所述电力网层提供用于所述功能组件的功率分布基础结构,所述中间层介于所述电力网层及所述组件级层之间提供所述功能组件之间的互连;
所述功能电路系统还包含至少一个静电放电保护电路,所述静电放电保护电路被构造为仅位于所述组件级层内,以为相关联的一个或更多功能组件提供静电放电保护。
2.如权利要求1所述的集成电路,其中,所述至少一个静电放电保护电路的每个被设置为提供至少一个穿过该静电放电保护电路但不被该静电放电保护电路利用的通信信道,每个通信信道提供由相应静电放电保护电路分离的第一功能组件与第二功能组件之间的通信路径。
3.如权利要求2所述的集成电路,其中:
所述第一功能组件及所述第二功能组件位于至少一行,并且每个通信信道通过沿所述至少一行延行并穿过相应静电放电保护电路的至少一个布线轨来提供。
4.如权利要求1所述的集成电路,其中,所述组件级层被提供在基板上,并且包括第二金属层,该第二金属层形成所述组件级层中最远离所述基板的顶层。
5.如权利要求1所述的集成电路,其中,所述功能组件被布置在多行中,每行具有由标准单元间距决定的行高度,并且所述至少一个静电放电保护电路的每个被构造为占据整数的所述行。
6.如权利要求1所述的集成电路,其中,所述功能电路系统包含由多个所述功能组件形成的至少一个宏单元装置,所述宏单元装置延伸越过所述组件级层进入所述中间层以提供所述宏单元的功能组件之间所需的互连。
7.如权利要求1所述的集成电路,其中,多个电力域被提供在所述集成电路内,并且所述至少一个静电放电保护电路被设置为向所述多个电力域中的特定电力域的相关联的一个或更多功能组件提供静电放电保护。
8.如权利要求7所述的集成电路,其中,所述特定电力域没有连接至所述接口电路系统内提供的静电放电保护元件。
9.如权利要求7所述的集成电路,其中,所述集成电路通过倒装芯片实施技术制成以使得该集成电路提供凸块连接点阵列,并且用于所述特定电力域的电力供应通过所述阵列中的一定数量的凸块连接点提供。
10.如权利要求9所述的集成电路,其中,用于为所述特定电力域提供电力供应的一定数量的凸块连接点位于所述阵列中远离所述接口电路系统的区域中。
11.如权利要求1所述的集成电路,其中,所述至少一个静电放电保护电路的每个所述集成电路的设计过程的布局阶段期间通过布置及布线工具插入到所述功能电路系统内。
12.如权利要求11所述的集成电路,其中,所述至少一个静电放电保护电路的每个被例示为标准单元。
13.一种为集成电路提供静电放电保护的方法,所述集成电路具有功能电路系统及接口电路系统,所述功能电路系统包含用于执行所述集成电路所需的处理功能的功能组件,所述接口电路系统用于提供介于所述功能电路系统及所述集成电路的外部组件之间的接口,所述集成电路由多个层形成,所述多个层包含组件级层、电力网层及中间层,所述组件级层内构造由标准单元形成的所述功能组件的任何功能组件,所述电力网层提供用于所述功能组件的功率分布基础结构,所述中间层介于所述电力网层及所述组件级层之间提供所述功能组件之间的互连,所述方法包含:
决定需要用于执行所述集成电路所需的处理功能的功能组件;
识别需要静电放电保护的功能组件组;并且
针对所识别出的组中的至少一个组,在所述功能电路系统内提供与该组相关联的至少一个静电放电保护电路,所述至少一个静电放电保护电路的每个被构造为仅位于所述组件级层内,从而为该组提供静电放电保护。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的