[发明专利]采用连续多弧离子镀物理气相沉积制备Fe - 5.5~6.5 wt.% Si - 0.3~1.0wt.% Al 合金薄板的方法有效
| 申请号: | 201210551396.X | 申请日: | 2012-12-18 |
| 公开(公告)号: | CN102978569A | 公开(公告)日: | 2013-03-20 |
| 发明(设计)人: | 田广科;范多旺;孔令刚;马海林;范多进 | 申请(专利权)人: | 兰州大成科技股份有限公司;兰州交大国家绿色镀膜工程中心有限责任公司 |
| 主分类号: | C23C14/14 | 分类号: | C23C14/14;C23C14/30 |
| 代理公司: | 兰州振华专利代理有限责任公司 62102 | 代理人: | 张真 |
| 地址: | 730070 甘*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 采用 连续 离子镀 物理 沉积 制备 fe 5.5 6.5 wt si 0.3 1.0 al 合金 | ||
1.一种采用连续多弧离子镀物理气相沉积制备Fe-5.5~6.5wt.%Si-0.3~1.0wt.%Al合金薄板的方法,其特征在于步骤为:
(1).选取厚度为0.1~0.35mm的低硅钢带作基板,并做以下预处理:用4~8%稀盐酸清洗3~8分钟,去除锈迹;然后使用浓度3~5%、温度60~80℃碳酸钠碱液清洗,去除油迹;清水漂洗;使用无水乙醇超声波清洗,吹干待用;
(2).选取硅铝合金靶材:熔铸硅铝合金靶材,其中Si-8~20%Al,待用;
(3).将经步骤(1)处理后的低硅钢带安装在多弧离子镀设备的基片台上作为阳极;再将步骤(2)的硅铝合金靶装入多弧离子镀弧头之中,作为阴极;
抽真空度至2×10-3~8×10-4Pa后,通入氩气使多弧离子镀中的压力稳定在0.2~0.8Pa范围;
调节多弧离子镀共沉积条件:
预热低硅钢带至200℃~500℃;
放电电压15V~20V、电流50A~80A、沉积速率为3~5μm/min;
在该条件下进行低硅钢带表面硅铝薄膜沉积,沉积时间5~15分钟,制备得到镀膜钢带;
(4).将经步骤(3)处理后的镀膜钢带进行1100~1250℃高温扩散处理,扩散时间10~60min,即得到断面成分分布均匀的Fe-5.5~6.5wt.%Si-0.3~1.0wt.%Al合金薄板材料。
2.如权利要求1所述的采用连续多弧离子镀物理气相沉积制备Fe-5.5~6.5wt.%Si-0.3~1.0wt.%Al合金薄板的方法,其特征在于:在步骤(3)中,通过将多个相同组份的硅铝靶材分别放在多弧离子镀膜机中对立安装的多个弧头上,低硅钢带从中间穿过,实现宽幅基板双面同步快速连续镀膜处理。
3.如权利要求1所述的采用连续多弧离子镀物理气相沉积制备Fe-5.5~6.5wt.%Si-0.3~1.0wt.%Al合金薄板的方法,其特征在于:在步骤(3)中,低硅钢带表面沉积硅铝膜厚度为10~50μm。
4.如权利要求1所述的采用连续多弧离子镀物理气相沉积制备Fe-5.5~6.5wt.%Si-0.3~1.0wt.%Al合金薄板的方法,其特征在于:在步骤(2)中,选取硅铝合金靶材的Al含量在8~20wt%。
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