[发明专利]纳米级导热胶带的制备方法

说明书

技术领域

本发明属于胶带制备领域，具体涉及一种纳米级导热胶带的制备方法。

背景技术

导热胶带被广泛应用于CPU、功率管、模块电源、LED超大屏幕灯发热器件的热传导设计中，以便高效便捷地传递热量。在高工作频率下，电子元器件产生的热量也迅速增加，此时散热能力成为影响其寿命的关键因素，因而对导热胶带及其性能也就有了更高的要求。但是，目前现有的导热胶带制备方法一般都存在导热率低或导热率高但无黏性等缺陷。且普遍的导热胶带都无法承受过UL94 V-0的耐燃测试。

发明内容

本发明针对上述现有技术的不足，提供了一种耐燃、绝缘、高导热性能的纳米级导热胶带的制备方法。

本发明是通过如下技术方案实现的：

一种纳米级导热胶带的制备方法，包括以下步骤：

（1）制备耐高温聚丙烯酸胶黏剂；

（2）将耐高温聚丙烯酸胶黏剂与α-Al₂O₃按照重量比20~30：30~45混合，之后进行混练，得到第一半成品；

（3）再将第一半成品与Al(OH)₃按照重量比50~75：30~45混合，进行混练，得到第二半成品；

（4）将第二半成品与聚酯布或者玻璃纤维放置到高温压料出片输送设备中，并加入白金触媒反应剂，所述白金触媒反应剂的重量为第二半成品的1-5%，经由高温烘箱加成反应，形成不可分离、一体成形的导热胶带。

本发明的进一步设置在于，步骤（2）和（3）中所述的混炼是指采用行星式搅拌机混炼。

本发明的进一步设置在于，步骤（4）所述高温烘箱加成反应中烘箱温度为130-150℃。

本发明的进一步设置在于，步骤（4）中所述高温压料出片输送设备的输送速度为20-40M/Min。

本发明的进一步设置在于，步骤（2）中α-Al₂O₃按质量百分比计的组成为：99.997%的Al₂O₃、0.03%的BaO、0.36%的PbO、小于0.01%的Bi₂O₃、小于0.01%的Sb₂O₄、小于0.01%的SnO₂、0.59%的MoO、小于0.01%的CeO₂、小于0.01%的AgO、小于0.01%的Y₂O₃、0.06%的La₂O₃、小于0.01%的SeO₂和0.04%的CuO。

本发明所述的导热胶带的制备方法采用α-Al₂O₃和Al(OH)₃等金属氧化物作为导热填充剂，金属氧化物的优点是绝缘、耐电压、耐燃、颗粒微小、可完全填充於硅胶中，与硅胶结合组成链状一体新结构，而且采用Al(OH)3填充后燃烧可自我熄灭。本发明利用纳米级氧化铝及氢氧化铝的混练及晶体最密堆积，达到了92%以上的填充量，并使材料特性能达到导热率=3.5W/mK，粘性达到2.0Kgf/25mm，体积电阻1012以上，耐燃达到国际规范UL94V-0。

附图说明

图1为高温压料出片输送设备的工作示意图。

具体实施方式

实施例一：

本发明提供了一种纳米级导热胶带的制备方法，包括以下步骤：

（1）制备耐高温聚丙烯酸胶黏剂；

（2）将耐高温聚丙烯酸胶黏剂与α-Al₂O₃按照重量比20：30混合，之后采用行星式搅拌机进行混练，得到第一半成品；其中，α-Al₂O₃按质量百分比计的组成为：99.997%的Al₂O₃、0.03%的BaO、0.36%的PbO、小于0.01%的Bi₂O₃、小于0.01%的Sb₂O₄、小于0.01%的SnO₂、0.59%的MoO、小于0.01%的CeO₂、小于0.01%的AgO、小于0.01%的Y₂O₃、0.06%的La₂O₃、小于0.01%的SeO₂和0.04%的CuO。