[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理方法及衬底处理装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括通过进行规定次数如下循环而在所述衬底上形成包含规定元素的薄膜的工序，该循环包括：

通过交替地进行规定次数向衬底供给包含规定元素和卤素的原料气体的工序、和向所述衬底供给由碳、氮及氢这3种元素构成的组成式中碳原子的数量比氮原子的数量多的第一反应气体的工序而形成包含所述规定元素、氮及碳的第一层的工序；

通过向所述衬底供给与所述原料气体及所述第一反应气体不同的第二反应气体，对所述第一层进行改性而形成第二层的工序。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一反应气体的组成式中具有多个包含碳原子的配位体。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一反应气体的组成式中具有3个包含碳原子的配位体。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一反应气体的组成式中具有2个包含碳原子的配位体。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一反应气体包含胺及有机肼中的至少任意一种。

6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一反应气体包含从由乙胺、甲胺、丙胺、异丙胺、丁胺及异丁胺构成的组中选择的至少一种胺。

7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一反应气体包含从由三乙胺、二乙胺、三甲胺、二甲胺、三正丙胺、二正丙胺、三异丙胺、二异丙胺、三正丁胺、二正丁胺、三异丁胺及二异丁胺构成的组中选择的至少一种胺。

8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一反应气体包含从由二乙胺、二甲胺、二正丙胺、二异丙胺、二正丁胺及二异丁胺构成的组中选择的至少一种胺。

9.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一反应气体是不含有硅的气体。

10.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一反应气体是不含有硅和金属的气体。

11.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述规定元素包含硅或金属，所述卤素包含氯或氟。

12.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在形成所述第一层的工序中，将所述原料气体所含有的所述卤素和所述第一反应气体所含有的氢作为气体排出，并且在所述衬底上形成所述第一层。

13.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在供给所述原料气体的工序中，形成包含所述规定元素和所述卤素的初始层，

在供给所述第一反应气体的工序中，使所述初始层和所述第一反应气体反应而形成所述第一层。

14.如权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在供给所述第一反应气体的工序中，使所述初始层和所述第一反应气体反应，将所述初始层所含有的所述卤素中的至少一部分从所述初始层抽出，并且使所述第一反应气体所含有的配位体中的至少一部分从所述第一反应气体分离。

15.如权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在供给所述第一反应气体的工序中，使所述初始层和所述第一反应气体反应，将所述初始层所含有的所述卤素中的至少一部分从所述初始层抽出，并且使所述第一反应气体所含有的配位体中的至少一部分从所述第一反应气体分离，使所述配位体中的至少一部分分离了的所述第一反应气体的氮和所述初始层所含有的所述规定元素键合。

16.如权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在供给所述第一反应气体的工序中，使所述初始层和所述第一反应气体反应，将所述初始层所含有的所述卤素中的至少一部分从所述初始层抽出，并且使所述第一反应气体所含有的配位体中的至少一部分从所述第一反应气体分离，使所述配位体中的至少一部分分离了的所述第一反应气体的氮和所述初始层所含有的所述规定元素键合，而且，使所述配位体所含有的碳和所述初始层所含有的所述规定元素键合。