[发明专利]一种半导体封装器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装器件的制造方法，包括以下步骤：

（a）采用曝光显影方法，在金属基材上表面形成具有窗口的掩膜材料层；

（b）以具有窗口的掩膜材料层作为抗蚀层，对金属基材上表面进行蚀刻，形成外芯片载体、外引脚和凹槽；

（c）移除配置于金属基材上表面的掩膜材料层；

（d）采用曝光显影方法，在凹槽内部和上方位置制作具有窗口的掩膜材料层；

（e）依次采用化学镀和电镀方法在掩膜材料层的窗口中制作内芯片载体和内引脚，形成具有台阶结构的芯片载体和引脚，其中芯片载体包括内芯片载体和外芯片载体，引脚包括内引脚和外引脚；

（f）采用电镀或化学镀方法在内芯片载体和内引脚的表面上配置第一金属材料层；

（g）移除配置于凹槽内部和上方位置的掩膜材料层；

（h）通过粘贴材料将IC芯片配置于内芯片载体或内引脚表面的第一金属材料层上；

（i）IC芯片上的多个键合焊盘通过金属导线分别连接至内芯片载体和内引脚配置的第一金属材料层；

（j）采用注塑方法用塑封材料包覆密封IC芯片、粘贴材料、金属导线、内芯片载体、内引脚和第一金属材料层，塑封后进行烘烤后固化；

（k）采用机械磨削方法或者蚀刻方法对金属基材进行减薄，形成独立的芯片载体和引脚；

（l）采用化学镀方法在外芯片载体和外引脚的表面上制作第二金属材料层；

（m）分离形成独立的单个封装件。

2.根据权利要求1所述的半导体封装器件的制造方法，其特征在于，经蚀刻方法形成的外芯片载体和外引脚的厚度范围为0.03mm-0.15mm。

3.根据权利要求1所述的半导体封装器件的制造方法，其特征在于，依次采用化学镀和电镀方法制作的内芯片载体和内引脚的厚度范围为0.03mm-0.15mm。

4.根据权利要求1所述的半导体封装器件的制造方法，其特征在于，采用刀片切割、激光切割或者水刀切割方法切割分离形成单个封装件，且仅切割塑封材料。