[发明专利]阿折地平ε晶型物质的制备方法

权利要求书

1.阿折地平二水合物的ε晶型的制备方法，包括如下步骤：

使用阿折地平甲醇化物样品在20-45℃、湿度大于75%条件下放置12小时至10天，制备获得阿折地平的ε晶型样品。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述的在20-45℃、湿度大于或等于75%条件下为22-27℃、湿度大于或等于90%条件下，或在35-42℃、湿度大于或等于75%条件下。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其中，所述的在20-45℃、湿度大于或等于75%条件下为在25℃、湿度为95%条件下，或在40℃、湿度为80%条件下。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述放置12小时至10天为2-8天，更优选地为4-6天，特别优选地为5天。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其中，使用阿折地平甲醇化物样品在25℃、湿度95%条件下放置5天制备获得阿折地平的ε晶型样品。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其中，使用阿折地平甲醇化物样品在40℃、湿度80%条件下放置5天制备获得阿折地平的ε晶型样品。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的制备方法，其中，所述阿折地平二水合物ε晶型，当使用粉末X射线衍射分析时（CuK_α辐射）表现为Height%=100峰位置在2θ=19.5±0.2°或处，并且，在2θ=5.8±0.2°或2θ=12.6±0.2°或2θ=16.0±0.2°或2θ=20.2±0.2°或2θ=23.8±0.2°或和2θ=24.3±0.2°或处存在Height%大于20的衍射峰。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其中，所述阿折地平二水合物ε晶型，当使用粉末X射线衍射分析时（CuK_α辐射），其衍射峰位置分别在2θ（°）±0.2°值或值具有如下表示：

9.根据权利要求8所述的制备方法，其中，所述的阿折地平二水合物ε晶型，其KBr压片法的红外吸收光谱在3629、3439、3327、3221、3066、3032、2978、2934、2860、2828、1676、1639、1560、1524、1487、1451、1386、1373、1346、1315、1297、1247、1217、1182、1162、1155、1131、1103、1085、1071、1027、1003、921、905、858、845、824、814、801、790、765、751、744、703、695、677cm^-1±2cm^-1有吸收峰。

10.根据权利要求8所述的制备方法，其中，所述的阿折地平二水合物ε晶型的熔点值为98℃±2℃。