[发明专利]液晶面板的防静电结构及其制造方法、连接线的修复方法有效

专利信息
申请号: 201210548399.8 申请日: 2012-12-17
公开(公告)号: CN103034008A 公开(公告)日: 2013-04-10
发明(设计)人: 赵婷婷 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/13;H05F3/04
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 液晶面板 静电 结构 及其 制造 方法 连接线 修复
【说明书】:

技术领域

发明属于显示技术领域,具体涉及一种液晶面板的防静电结构及其制造方法、连接线的修复方法。

背景技术

随着显示技术的不断发展,薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)已在平板显示领域中占据了主导地位。在LCD的制造过程中,液晶面板对盒之后,需要对彩膜基板的边缘进行切割,切割时会产生静电释放(Electro-Static discharge,ESD)。

阵列基板边缘设置于呈扇形排列的连接线(fan-out),包括扫描连接线和数据连接线,彩膜基板切割完毕之后,阵列基板上的连接线将会裸露在外面。切割彩膜基板时产生的静电会对连接线造成损伤,导致断线等线不良(Line defect)的问题。因此,现有技术中,切割彩膜基板时产生的静电,容易导致阵列基板上的连接线发生线不良。

发明内容

本发明实施例提供了一种液晶面板的防静电结构及其制造方法、连接线的修复方法,解决了现有技术中,切割彩膜基板时产生的静电,容易导致阵列基板上的连接线发生线不良的技术问题。

为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:

一种液晶面板的防静电结构,包括若干尖端放电结构、外部导线和内部导线;

所述若干尖端放电结构和所述外部导线同层设置于阵列基板中;

所述若干尖端放电结构位于所述阵列基板边缘的连接线上方的对应区域,且所述若干尖端放电结构与所述连接线之间通过绝缘层隔开,所述连接线为扫描线或者数据线;

所述外部导线具有位于彩膜基板的切割线与封框胶之间的部分;

所述内部导线一端在所述切割线与封框胶之间的部分通过过孔与所述外部导线电位于所述切割线与封框胶之间的部分相连接,另一端与所述阵列基板中的与公共电极线相连的静电环电连接。

优选的,所述连接线为多条并排设置,所述若干尖端放电结构的位置对应于所述连接线的间隔处。

进一步,所述外部导线包括第一外部导线、第二外部导线、第三外部导线和第四外部导线;其中,所述第一外部导线位于所述切割线与封框胶之间,所述第三外部导线位于所述切割线的外侧;

所述第一外部导线、所述第二外部导线、所述第三外部导线和所述第四外部导线首尾相接,形成封闭的回路。

优选的,所述内部导线的数量为两条,两条所述内部导线的一端分别通过过孔与所述第一外部导线的两端中的一端电连接,两条所述内部导线的另一端均与所述静电环电连接。

优选的,所述若干尖端放电结构和所述外部导线,与所述阵列基板的像素电极位于同一层。所述内部导线与所述阵列基板的扫描线或数据线位于同一层。

一种上述防静电结构的制造方法,包括:

通过构图工艺,在所述阵列基板上形成包括所述内部导线的图形;具体可以为:通过构图工艺,在所述阵列基板上形成扫描线图形或数据线图形的同时,形成包括所述内部导线的图形。

通过构图工艺,在所述阵列基板上形成包括所述外部导线和所述若干尖端放电结构的图形;具体可以为:通过构图工艺,在所述阵列基板上形成像素电极图形的同时,形成包括所述外部导线和所述若干尖端放电结构的图形。

形成过孔图形,使所述外部导线和所述内部导线通过所述过孔电连接。

一种连接线的修复方法,所述连接线为多条并排设置于阵列基板上,所述连接线上方的对应区域设置有上述形成封闭回路的第一外部导线、第二外部导线、第三外部导线和第四外部导线;

所述第一外部导线和所述第三外部导线的平面投影均与每条连接线交叉;

所述修复方法包括:

当某一条连接线断开时,在该连接线与所述第一外部导线的交叉处,以及该连接线与所述第三外部导线的交叉处,分别进行焊接。

进一步,还包括:在两个焊接处的同侧,切断所述第一外部导线和所述第三外部导线。

与现有技术相比,本发明所提供的上述技术方案具有如下优点:对彩膜基板的边缘进行切割时,位于连接线上方的尖端放电结构能够有效吸收切割过程产生的静电,保护其下方的连接线不受静电影响;尖端放电结构还能够将所吸收的电荷传输至外部导线,再通过过孔将电荷传输至内部导线,最终传输至阵列基板中的静电环,从而除去了切割产生的静电电荷。避免了切割彩膜基板时产生的静电,导致阵列基板上的连接线发生线不良的问题。

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