[发明专利]发光器件

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

衬底；

设置在所述衬底上的第一导电型半导体层；

设置在所述第一导电型半导体层上的有源层；

设置在所述有源层上的第二导电型半导体层；

设置在所述第一导电型半导体层上的第一电极；

设置在所述第二导电型半导体层上的第二电极；

设置在所述衬底的顶表面上的第一光提取图案；

设置在所述衬底的侧面上的第二光提取图案，

其中所述第二光提取图案包括第一图案，第二图案以及第三图案，

其中所述第一图案设置为比所述第二图案更靠近所述有源层，

所述第二图案设置为比所述第三图案更靠近所述有源层，

其中所述第一图案的尺寸大于所述第二图案的尺寸，所述第二图案的尺寸大于所述第三图案的尺寸，

其中所述第二图案设置为比所述第一图案更致密，以及

其中所述第三图案设置为比所述第二图案更致密。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一光提取图案包括与所述衬底相同的材料，并且所述第二光提取图案包括与所述衬底不同的材料，其中所述第二光提取图案透射光。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二光提取图案的折射率比所述衬底的折射率大。

4.根据权利要求3所述的发光器件，其中所述第二光提取图案包括聚硅氧烷材料。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的发光器件，其中所述第二光提取图案由透射性材料形成。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的发光器件，其中所述第二光提取图案包括多个图案，并且所述多个图案具有不同的尺寸和形状。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的发光器件，其中所述第二光提取图案至少包括第四图案和第五图案，并且所述第四图案和所述第五图案具有不同的形状。

8.根据权利要求7所述的发光器件，其中所述第四图案包括三角形状，并且所述第五图案包括半球形状。

9.根据权利要求1至4中任一项所述的发光器件，其中所述第二光提取图案以平行线的形式布置在所述衬底的底表面上。

10.根据权利要求1至4中任一项所述的发光器件，其中所述第二光提取图案的尺寸为所述衬底的厚度的约1/10至约1/5。

11.根据权利要求1至4中任一项所述的发光器件，还包括：形成在所述第一导电型半导体层的侧面上的第三光提取图案。

12.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述第三光提取图案由与所述第二光提取图案相同的材料形成，其中所述第三光提取图案包括聚硅氧烷材料。

13.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述第三光提取图案由与所述第二光提取图案不同的材料形成。

14.根据权利要求13所述的发光器件，其中所述第三光提取图案是通过对所述第一导电型半导体层的侧表面进行蚀刻形成的。

15.根据权利要求1至4中任一项所述的发光器件，还包括：形成在所述衬底的底表面上的第四光提取图案，设置在所述第一导电型半导体层上的电流扩散层，设置在所述电流扩散层上的电子注入层，以及设置在所述电子注入层上的应变控制层。

16.根据权利要求15所述的发光器件，其中所述第四光提取图案由与所述衬底不同的材料形成。

17.根据权利要求16所述的发光器件，其中所述第四光提取图案由与所述第二光提取图案相同的材料形成。

18.根据权利要求15所述的发光器件，其中所述第四光提取图案包括与所述衬底相同的材料。

19.根据权利要求18所述的发光器件，其中所述第四光提取图案通过对所述衬底的底表面进行蚀刻来形成。

20.根据权利要求15所述的发光器件，其中所述第四光提取图案与所述第一光提取图案垂直对齐。

21.根据权利要求15所述的发光器件，其中所述第四光提取图案与所述第一光提取图案不垂直对齐。