[发明专利]适用于太阳能高方阻电池的正电极网版制造方法

权利要求书

1.适用于太阳能高方阻电池的正电极网版制造方法，其特征在于包括以下步骤：

步骤①，在硅片表面制作绒面；

步骤②，对硅片进行清晰后，将硅片置入扩散炉中进行扩散工序，在硅片表面形成高方阻发射结；

步骤③，去除硅片边结；

步骤④，在高方阻发射结表面制作氮化硅膜；

步骤⑤，电极、电场共烧处理；

步骤⑥，进行栅线印刷。

2.根据权利要求1所述的适用于太阳能高方阻电池的正电极网版制造方法，其特征在于：所述的步骤①中通过硝酸、氢氟酸混合液或是氢氧化钠溶液制作绒面。

3.根据权利要求1所述的适用于太阳能高方阻电池的正电极网版制造方法，其特征在于：步骤②中采用盐酸、氢氟酸溶液清洗，扩散工序为，温度为800～900℃，通入气体为氮气、氧气、三氯氧磷混合气体，处理时间为30-90分钟，在硅片表面形成65-100Ω/sqr高方阻发射结。

4.根据权利要求1所述的适用于太阳能高方阻电池的正电极网版制造方法，其特征在于：所述的步骤③中利用湿法刻蚀或是等离子刻蚀设备去除硅片边结。

5.根据权利要求1所述的适用于太阳能高方阻电池的正电极网版制造方法，其特征在于：所述的步骤④中采用PECVD设备在高方阻发射结表面制作氮化硅膜，膜厚为80-90um，折射率为2.0-2.15。

6.根据权利要求1所述的适用于太阳能高方阻电池的正电极网版制造方法，其特征在于：所述的步骤⑤中采用丝网印刷设备制备正、背面电极以及背面电场，通过烧结炉进行电极、电场共烧处理。

7.根据权利要求1所述的适用于太阳能高方阻电池的正电极网版制造方法，其特征在于：所述的步骤⑥中硅片中心处方阻值较高的区域，采用密集的栅线印刷图形，硅片边缘处方阻值较低的区域，采用次密的栅线印刷图形，所述密集的栅线的根数大于次密的栅线，所述密集的栅线相互之间的间距小于次密的栅线相互之间的间距。

8.根据权利要求7所述的适用于太阳能高方阻电池的正电极网版制造方法，其特征在于：所述次密的栅线印刷图形采用逐次降低栅线间距的方式向密集的栅线印刷图形过渡。

9.根据权利要求7所述的适用于太阳能高方阻电池的正电极网版制造方法，其特征在于：所述次密的栅线印刷图形与密集的栅线印刷图形均划分为1-10个区域，每个区域均采用不同的栅线间距。