[发明专利]微带电路全波分析方法有效

专利信息
申请号: 201210547828.X 申请日: 2012-12-14
公开(公告)号: CN103150415A 公开(公告)日: 2013-06-12
发明(设计)人: 胡小情;钟耀祖;刘新 申请(专利权)人: 中国科学院深圳先进技术研究院
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 代理人: 宋鹰武
地址: 518055 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 微带 电路 分析 方法
【权利要求书】:

1.一种微带电路全波分析方法,其特征在于,所述微带全波分析方法包括以下步骤:

步骤S1、采用八叉树数据结构对剖分后的三维目标模型进行分组,用一个立方体将所述三维目标包围住,所述立方体为第零层的第一个且是最后一个组结点,把所述立方体等分为八个子立方结点形成第一层结点,再对每个子立方体进行与上一步相同的细分,并以此类推直到最底层立方体的电尺寸达到所需合适的大小为止;

步骤S2、根据步骤S1得到的三维目标八叉树结构,首先进行Morton编码,然后将每个立方体相邻的立方体组设定为近场区组,之后设定远场区,所述远场区为包含所述立方体的父层立方体区域的近场区域中除掉本层区域的近场区组;

步骤S3、根据步骤S2分组,采用传统的MDA-SVD方法对阻抗矩阵远作用子块进行低秩表示,根据立方体电尺寸的大小,在其表面设置等效源,利用等效源对阻抗矩阵的远作用子块进行低秩表示,获得低秩子块表示,并直接计算阻抗矩阵的近作用子块;

步骤S4、利用改进的MDA-SVD方法对所述低秩子块表示进一步压缩处理,得到阻抗矩阵的压缩表示,所述压缩处理包括对每一个非空子组构造对应的基矩阵及根据所述基矩阵构造对应耦合矩阵;

步骤S5、根据所述阻抗矩阵改进的MDA-SVD表示,构造阻抗矩阵与矢量相乘算法;

步骤S6、求解步骤S5中的阻抗矩阵方程,得到模型表面电流系数,并且根据电流系数得到目标表面的电流分布,从而得到目标的各种电磁特性参数。

2.如权利要求1所述的微带电路全波分析方法,其特征在于,步骤S1之前还包括利用Ansys软件建立待求目标的几何模型,并利用平面三角形进行离散剖分。

3.如权利要求2所述的微带电路全波分析方法,其特征在于,利用平面三角形进行离散剖分时,采用基于RWG基函数的三角形网格对复杂目标表面进行剖分,每平方电波长内剖分的三角形数目大于120。

4.如权利要求1所述的微带电路全波分析方法,其特征在于,步骤1中最底层立方体的电尺寸为0.2~0.4个入射波波长。

5.如权利要求1所述的微带电路全波分析方法,其特征在于,步骤S4具体包括:

S41、利用传统MDA-SVD方法将所述阻抗矩阵表示成低秩子块的格式,对j∈Far(li),将相应的按照行排列得到中间矩阵Bli=(...,Ui×kijSkij×kij,...);]]>

S42、对所述中间矩阵Bli做奇异值分解,根据事先设定的截断误差εSVD得到Bli=U^liS^li(V^li)H,]]>其中,S^il=diag(sli1,sli2,...,sliki),]]>sli1sli2...sliki>0,]]>U^liCm×ki]]>V^liCn×ki]]>均为酉矩阵,对于第l层的非空基函数组i,矩阵即基矩阵;

S43、根据所述基矩阵构造对应的耦合矩阵其中,表示的共轭,表示的共轭转置;

S44、获取所述阻抗矩阵改进的MDA-SVD表示Z(l)=diag(U^li)Z^(l)(diag(U^li))T,]]>其中,diag(U^li)=U^l1...U^lkl.]]>

6.如权利要求1所述的微带电路全波分析方法,其特征在于,构造阻抗矩阵与矢量相乘算法按照以下函数执行:

Subroutine MVP(x,y)

y=0;y=ZNF□x;

Begin l=2,L

Begin i=1,kl

xi=(U^li)T·x|i]]>

End

Begin i=1,kl

wj=ΣjFar(i)Z^li×j·xi]]>

End

Begin j=1,kl

y|j=y|j+U^lj·wj]]>

End

End

其中,x、y分别为输入向量和输出向量,l表示的是层数。

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