[发明专利]一种液晶面板及显示装置有效

专利信息
申请号: 201210546658.3 申请日: 2012-12-14
公开(公告)号: CN103018978A 公开(公告)日: 2013-04-03
发明(设计)人: 陈玉琼;王丹;张洪林;董霆;张洪术;李圭鉉 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343;G02F1/1337
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 黄志华
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 液晶面板 显示装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及显示技术领域,特别涉及一种液晶面板及显示装置。

背景技术

在TFT-LCD的显示技术中,为了使液晶面板得到均匀的亮度和较高的对比度、以及快速的响应时间,必须使液晶面板的液晶层内的液晶分子沿着某一定的方向排列,而现有技术中,为达到上述效果,液晶面板中通常使用按一定的方向摩擦的配向膜来使液晶层内的液晶分子规则排列。

ADSDS(简称ADS)是平面电场宽视角核心技术-高级超维场转换技术(ADvanced Super Dimension Switch),通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场,使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转,从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质,具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。针对不同应用,ADS技术的改进技术有高透过率I-ADS技术、高开口率H-ADS和高分辨率S-ADS技术等。

如对于ADS型液晶面板,液晶层内的液晶分子与水平方向的预倾角越小越有利于提高液晶面板的对比度和响应速度。

现有技术中,ADS型液晶面板使用配向膜配向后,液晶层内的液晶分子与水平方向的预倾角大约为2°左右。

发明内容

本发明提供一种液晶面板,该液晶面板通过水平电场控制液晶层内液晶分子的初始取向,减小使液晶层内液晶分子与水平方向的预倾角,具有较高的对比度和响应速度。

本发明还提供了一种具有上述液晶面板的显示装置,该显示装置中液晶面板的对比度和响应速度较高。

为达到上述目的,本发明提供以下技术方案:

一种液晶面板,包括阵列基板、彩膜基板以及位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶层,所述阵列基板上具有像素电极和公共电极,还包括:形成控制液晶层内液晶分子初始取向的水平电场的至少一对高电位电极和低电位电极,每一对所述高电位电极和低电位电极相对设置。

优选地,所述液晶层内具有由聚肉桂酸乙烯醇酯衍生物或单丙烯酸酯制备而成的高分子网格取向层,且所述高分子网格取向层水平取向。

优选地,所述高电位电极和所述低电位电极为条状电极。

优选地,所述阵列基板或所述彩膜基板上设置有一对所述高电位电极和低电位电极,所述高电位电极和低电位电极的高度小于等于液晶面板的盒厚。

优选地,所述阵列基板上设置有第一高电位电极和第一低电位电极,所述彩膜基板上设置有第二高电位电极和第二低电位电极,所述第一高电位电极和第二高电位电极相对应,形成所述高电位电极,所述第一低电位电极和第二低电位电极相对应,形成所述低电位电极。

优选地,所述阵列基板还包括交叉设置的栅线和数据线,所述高电位电极和所述低电位电极与所述栅线、所述数据线、所述像素电极或所述公共电极中的一个同层制备。

优选地,所述彩膜基板包括黑矩阵,所述黑矩阵用遮光金属材料制成,所述高电位电极和所述低电位电极与所述黑矩阵同层制备。

优选地,所述高电位电极和所述低电位电极为铝制条状金属薄电极,且通过导电胶固定于所述阵列基板。

优选地,所述低电位电极与所述阵列基板的公共电极信号线电性连接,所述高电位电极与所述阵列基板的数据线电性连接。

优选地,所述高电位电极的电位与所述低电位电极的电位间的压差为6~8.5伏。

优选地,所述高电位电极和低电位电极均位于非显示区域,且位于所述阵列基板和彩膜基板之间的封框胶内侧。

优选地,所述液晶面板为ADS型。

本发明还提供了一种显示装置,包括上述技术方案中提供的任一种液晶面板。

本发明提供的液晶面板,包括阵列基板、彩膜基板以及位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶层,所述阵列基板上具有像素电极和公共电极,还包括:形成控制液晶层内液晶分子初始取向的水平电场的至少一对高电位电极和低电位电极,每一对所述高电位电极和低电位电极相对设置。

液晶层中的液晶分子的初始取向为水平方向的液晶面板中,液晶层中的液晶分子为正性液晶分子,正性液晶分子在电场作用下会沿着电场方向排列,本发明提供的液晶面板中,高电位电极和低电位电极能够产生水电场,进而通过电场控制液晶分子的初始取向。

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