[发明专利]上电复位电路

权利要求书

1.一种上电复位电路，其特征在于，包括：

一第一阻抗装置和一第一开关，彼此串连后耦接于一电源节点及一第一节点之间；其中，该第一开关的一控制端耦接该电源节点；

一第一电容器，耦接于该第一节点与一参考接地之间；

一第二开关，耦接于该第一节点与一连接节点之间，且该第二开关的控制端耦接该电源节点；

一第三开关，耦接于该连接节点与该参考接地之间，且该第三开关的控制端耦接该电源节点；

一第四开关，耦接于一第二节点与该参考接地之间，且该第四开关的控制端耦接于该连接节点；

一第二阻抗装置，耦接于该电源节点与该第二节点之间；

一第二电容器，耦接于该第二节点与该参考接地之间；以及

一控制电路，耦接该第二节点与一电路装置的重置输入端之间；

其中，当该电源节点上有电力供给时，该第一开关和该第三开关导通，该第二开关和该第四开关不导通，该电源节点上的电力通过该第二阻抗装置充电该第二电容器至一既定电位时，使该控制电路输出一重置信号；

当该电力供给自该电源节点移除时，该第一开关和该第三开关不导通，该第二开关和该第四开关导通，通过该第四开关使该第二电容器进行放电至接近该参考接地的电压电平。

2.根据权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于，当该电源节点上有电力供给时，该电力供给对该第一电容器充电；当该电力供给自该电源节点移除时，该第一电容器的电压通过该第二开关供给至该第四开关的控制端，使该第四开关导通。

3.根据权利要求2所述的上电复位电路，其特征在于，该第一开关、该第三开关及该第四开关均为NMOS晶体管，该第二开关为PMOS晶体管。