[发明专利]一种浅沟槽隔离结构及其制作方法

权利要求书

1.一种浅沟槽隔离结构的制作方法，包括：

（a）提供半导体衬底；

（b）在所述半导体衬底上形成缓冲氧化层和硬掩膜层；

（c）刻蚀所述硬掩膜层、所述缓冲氧化层和所述半导体衬底，以形成沟槽；

（d）在所述沟槽的内壁和底面采用热氧化形成衬氧化层；

（e）用介电材料填充所述沟槽，使用化学机械抛光工艺平坦化所述介电材料，直到露出所述硬掩膜层的一部分；以及

（f）剥离所述硬掩膜层和所述缓冲氧化层，

其特征在于，所述方法还包括在步骤（c）之后的第一离子注入步骤或者在步骤（e）之后的第二离子注入步骤。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一离子注入步骤包括：

使用底部抗反射涂层填充所述沟槽；

烘焙所述底部抗反射涂层；

回蚀刻部分所述底部抗反射涂层；

进行离子注入工艺；

剥离所述底部抗反射涂层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二离子注入步骤包括：

回蚀刻部分所述介电材料；

进行离子注入工艺。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述离子注入工艺所注入的离子是碳、氮或锗。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述离子注入工艺所注入的离子是锗。

6.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述离子注入工艺为全面离子注入。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜层为氮化硅。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤（c）之后还包括湿法刻蚀所述沟槽开口两侧的所述缓冲氧化层和所述硬掩膜层的一部分侧壁以露出所述沟槽顶端边角的步骤。

9.根据权利要求3所述的方法，在步骤（f）之后还包括在所述浅沟槽隔离结构之间的有源区上形成栅极氧化物层的步骤。

10.根据权利要求9所述的方法，所述栅极氧化物层采用氧化所述半导体衬底的方法形成。

11.根据权利要求1所述的方法，所述介电材料为氧化硅。

12.一种浅沟槽隔离结构，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构是采用根据权利要求1-11中任一种方法制成的。