[发明专利]刻蚀组合物以及利用其制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201210546406.0 | 申请日： | 2012-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN103160282A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 曺成爀;洪权;朴滢淳;金奎显;韩智惠;林廷训;李珍旭;朴宰完;郑灿槿 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司;韩国首尔步瑞株式会社 |
| 主分类号： | C09K13/06 | 分类号： | C09K13/06;H01L21/02;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 周晓雨;俞波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刻蚀 组合 以及 利用 制造 半导体器件 方法 | ||
1.一种刻蚀组合物，包括：由以下通式1表示的甲硅烷基磷酸酯化合物、磷酸以及去离子水：
[通式1]
其中，R1选自氢、羟基、取代或未取代的(C1-C20)烷基、(C1-C20)烷氧基、(C2-C20)烯基、(C3-C20)环烷基、氨基(C1-C20)烷基、氨基(C1-C10)烷基氨基(C1-C10)烷基、(C6-C20)芳基、(C1-C20)烷基羰基、(C1-C20)烷基羰氧基、以及氰基(C1-C10)烷基；
其中，R2和R3各自独立地选自氢、羟基、取代或未取代的(C1-C20)烷基、(C1-C20)烷氧基、(C2-C20)烯基、(C3-C20)环烷基、氨基(C1-C20)烷基、氨基(C1-C10)烷基氨基(C1-C10)烷基、(C6-C20)芳基、(C1-C20)烷基羰基、(C1-C20)烷基羰氧基、氰基(C1-C10)烷基、以及由以下通式3表示的基团：
[通式3]
其中，R4和R5各自独立地选自氢、(C1-C10)烷基、(C2-C10)烯基、(C3-C20)环烷基、氨基(C1-C10)烷基、以及被选自卤素、苯基和环氧环己烷中的一个或更多个取代基取代的(C1-C10)烷基；以及
其中，n为1≤n≤4的整数。
2.如权利要求1所述的刻蚀组合物，其中，R1选自氢、(C1-C10)烷基、(C2-C10)烯基、(C3-C20)环烷基、氨基(C1-C10)烷基、以及被选自卤素、苯基和环氧环己烷中的一个或更多个取代基取代的(C1-C10)烷基。
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