[发明专利]一种减小掩膜版拼接误差的方法

权利要求书

1.一种减小掩膜版拼接误差的方法，其特征在于，根据相邻的两块掩膜版拼接区域上曝光图案在重复曝光后刻蚀形成的图形结果，逆向对掩膜版上的所述拼接区域的曝光图案进行结构补偿。

2.如权利要求1所述的减小掩膜版拼接误差的方法，其特征在于，当所述拼接区域上曝光图案在重复曝光后刻蚀形成的图形与非拼接区域上曝光图案在一次曝光后刻蚀形成的图形相比较窄时，则对掩膜版上所述拼接区域的曝光图案的宽度进行加大。

3.如权利要求1所述的减小掩膜版拼接误差的方法，其特征在于，当所述拼接区域上曝光图案在重复曝光后刻蚀形成的图形与非拼接区域上曝光图案在一次曝光后刻蚀形成的图形相比较宽时，则对掩膜版上所述拼接区域的曝光图案的宽度进行减小。

4.如权利要求1所述的减小掩膜版拼接误差的方法，其特征在于，当所述拼接区域上曝光图案在重复曝光后刻蚀形成的图形发生偏移，使刻蚀后图形断线时，则对掩膜版上所述拼接区域发生偏移的曝光图案朝着偏移相反的方向的宽度和长度进行加大。

5.如权利要求1至4中任一项所述的减小掩膜版拼接误差的方法，其特征在于，进行结构补偿后的所述掩膜版上的曝光图案的边缘线为直线、折线或弧线。