[发明专利]图形衬底及其制备方法

权利要求书

1.一种图形衬底，包括基本衬底（1），在基本衬底（1）的正面刻蚀形成以阵列形式排列的图形凸起（2）；其特征是：所述图形凸起（2）由多层凸起组成，每一层凸起的宽度自下而上递减，上一层凸起的底部宽度与下一层凸起的顶部宽度相同。

2.如权利要求1所述的图形衬底，其特征是：所述图形凸起（2）的最上一层凸起的形状为多边锥形、多边柱形、多边梯形或多边方台形。

3.如权利要求1或2所述的图形衬底，其特征是：所述图形凸起（2）的最上一层凸起的形状圆柱形、圆锥形、梯形圆台、三角锥形、长方体形、方柱形、三棱柱、梯形台、五棱锥形、五边柱形、五棱梯台、六棱锥形、六棱柱形或六棱梯台形。

4.如权利要求1所述的图形衬底，其特征是：所述基本衬底（1）为蓝宝石衬底、碳化硅衬底或硅衬底。

5.如权利要求1所述的图形衬底，其特征是：所述图形凸起（2）的材料与基本衬底（1）的材料相同。

6.如权利要求1所述的图形衬底，其特征是：所述图形凸起（2）最上一层凸起的材料与基本衬底（1）的材料不同，图形凸起（2）最上一层以下的凸起材料与基本衬底（1）的材料相同；所述图形凸起（2）最上一层凸起的材料为SiO₂、Si₃N₄、ZnO₂、Si或GaAs。

7.如权利要求1所述的图形衬底，其特征是：相邻两个图形凸起（2）的顶部之间的距离为0.5~50μm，图形凸起（2）的底面直径为0.1~50μm。

8.一种图形衬底的制备方法，其特征是，采用以下工艺步骤：

（1）提供具有正面和背面的基本衬底（1），基本衬底（1）采用蓝宝石衬底、碳化硅衬底或硅衬底；在基本衬底（1）的上表面生成一层异质衬底（3a）得到复合衬底，异质衬底（3a）的厚度为0.5~2μm，异质衬底（3a）的材料为SiO₂、Si₃N₄、ZnO₂、Si或GaAs；

（2）对复合衬底进行清洗；

（3）在复合衬底的导质衬底（3a）上表面涂光刻胶（4a），涂胶厚度为0.5~4μm，进行曝光显影，露出需要刻蚀的区域；

（4）采用干法刻蚀和湿法刻蚀分别刻蚀一次，总的刻蚀深度为0.1~4μm，在基本衬底（1）的正面刻蚀得到图形凸起（2），图形凸起（2）以阵列形式排列在基本衬底（1）的正面，图形凸起（2）由多层宽度自下而上依次递减的凸起组成；相邻两个图形凸起（2）的顶部之间的距离为0.5~50μm，图形凸起（2）的底面直径为0.1~50μm；

（5）将步骤（4）刻蚀后的复合衬底进行清洗，清洗去剩余的光刻胶，得到所述的图形衬底。

9.一种图形衬底的制备方法，其特征是，采用以下工艺步骤：

（1）提供具有正面和背面的基本衬底（1），基本衬底（1）采用蓝宝石衬底、碳化硅衬底或硅衬底；

（2）在基本衬底上表面涂光刻胶（4a），涂胶厚度为0.5~4μm，进行曝光显影，露出需要刻蚀的区域；

（3）采用干法刻蚀和湿法刻蚀分别刻蚀一次，总的刻蚀深度为0.1~4μm，在基本衬底（1）的正面刻蚀得到图形凸起（2），图形凸起（2）以阵列形式排列在基本衬底（1）的正面，图形凸起（2）由多层宽度自下而上依次递减的凸起组成；相邻两个图形凸起（2）的顶部之间的距离为0.5~50μm，图形凸起（2）的底面直径为0.1~50μm；

（4）将步骤（3）刻蚀后的基本衬底进行清洗，清洗去剩余的光刻胶，得到所述的图形衬底。