[发明专利]一种LED芯片封装结构及制作方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及LED封装技术领域，具体可以涉及一种LED芯片封装结构及制作方法、显示装置。

背景技术

半导体发光二极管（LED）照明的出现促使照明领域的又一次改革，LED具有小型固体化、耐振动、瞬间启动快和快响应、节能且寿命长、绿色高效等许多优点，在普通照明、背光源、装饰照明上的应用日益广泛。大功率高亮度LED具有取代白炽灯的巨大前景。

工业上，产生白光的途径之一是利用荧光粉覆盖蓝光氮化镓基LED。氮化镓基LED有两种基本结构：横向结构（lateral）和垂直结构（vertical）。

横向结构LED的两个电极在LED的同一侧，电流在GaN层中横向流动，具有较大电阻和热量。

而垂直结构的氮化镓基LED的两个电极分别在氮化镓基LED的两侧，电流几乎全部垂直流过氮化镓基外延层，因此电流分布均匀，电阻降低，抗静电能力提高，电流产生的热量、电压降低。

由于垂直结构的氮化镓基LED拥有众多优点，因此LED行业的大公司都在研究垂直结构的封装工艺和产业化工艺。目前，LED的封装结构非常多，但大多数封装结构都需要用到金线，即将金线焊接在LED芯片的电极上。

由于LED芯片的出光正面焊接电极和金线会阻挡部分光线，因此出光效率较低，出光一致性较差。其次焊接金线需要精密仪器和复杂工艺的配合，因此操作过程繁琐、成本投入较高。

发明内容

本发明提供一种LED芯片封装结构及制作方法、显示装置，从而可提高LED芯片的导热效果、增加整体稳定性，改善LED芯片表面的出光效果。

本发明提供方案如下：

本发明实施例提供了一种LED芯片封装结构，包括：LED芯片单元，以及导电单元；

其中，

所述LED芯片单元中，形成有第一电极、氮化镓层以及第二电极，且所述氮化镓层形成于在所述第一电极和第二电极之间，所述第一电极形成于所述氮化镓层之上；

所述导电单元包括：

形成于所述第一电极侧边，与所述第一电极电连接的第一导电层；

形成于所述第二电极侧边，与所述第二电极电连接的第二导电层；

形成于所述氮化镓层侧边的中间隔离层，所述中间隔离层位于所述第一导电层和第二导电层之间。

优选的，所述氮化镓层包括：

衬底；

形成于所述衬底之上的p_型氮化镓结晶基板；

形成于所述p_型氮化镓结晶基板之上的发光层；

形成于所述发光层之上的n_型氮化镓结晶基板。

优选的，所述第一导电层和第二导电层为透明导电材料。

优选的，所述中间隔离层为透明导热绝缘材料。

优选的，所述第一导电层与所述第一电极厚度相同；和/或

所述中间隔离层与所述氮化镓层厚度相同；和/或

所述第二导电层与所述第二电极厚度相同。

优选的，所述第二导电层还形成于所述第二电极的底侧。

优选的，所述第一导电层还形成于所述第一电极的顶侧。

优选的，所述LED芯片封装结构设置于一支撑架中；

所述支撑架包括：

第一导电通道和第二导电通道；

所述第一导电通道与所述第一导电层连接；

所述第二导电通道与所述第二导电层连接。

本发明实施例还提供了一种LED芯片封装结构制作方法，包括：

将LED芯片单元间隔固定于支撑架中，所述LED芯片单元中形成有第一电极、氮化镓层以及第二电极，且所述氮化镓层形成于在所述第一电极和第二电极之间，所述第一电极形成于所述氮化镓层之上；

在所述支撑架上表面与任意两个相邻LED芯片单元之间的间隔部相对应的区域，形成LED芯片封装结构中导电单元所包括的第二导电层，所述第二导电层与所述第二电极电连接；

在所述第二导电层之上，形成导电单元所包括的中间隔离层；

在所述中间隔离层之上，形成导电单元中所包括的第一导电层，所述第一导电层与所述第一电极电连接。

优选的，所述方法在形成导电单元中的第一导电层之后，还包括：

在所述第一电极和第一导电层之上，形成树脂荧光胶层。

本发明实施例还提供了一种LED芯片封装结构制作方法，包括：

依次形成LED芯片封装结构中导电单元的层级结构，所述导电单元包括第一导电层、中间隔离层以及第二导电层，所述中间隔离层位于所述第一导电层和第二导电层之间，所述第一导电层位于所述中间隔离层之上；