[发明专利]有机发光显示器件及其制造方法有效
申请号: | 201210545120.0 | 申请日: | 2012-12-14 |
公开(公告)号: | CN103165650A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | 徐铉植;李政训;金大元;崔容豪 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L21/77 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;钟强 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光显示器件,包括:
包括多个像素的第一基板和第二基板;
形成在第一基板上的薄膜晶体管;
形成在包括薄膜晶体管的第一基板上的第一绝缘层;
形成在像素区中的第一绝缘层上的滤色器层;
形成在包括滤色器层的第一基板上的第二绝缘层;
形成在第二绝缘层上且由不含氢的材料制成的光补偿层,其中光补偿层接触薄膜晶体管的漏极焊垫;
形成在每个像素区域的光补偿层上的像素电极;
形成在像素电极上以发光的有机发光单元;和
形成在有机发光单元上的公共电极。
2.如权利要求1所述的有机发光显示器件,还包括:
形成在光补偿层上以释放外来物质的多个孔,其中孔是形成在每个像素区的外壁中。
3.如权利要求2所述的有机发光显示器件,其中光补偿层由透明材料制成。
4.如权利要求3所述的有机发光显示器件,其中光补偿层由选自SiNx、ITO和IZO组成组的材料形成。
5.如权利要求4所述的有机发光显示器件,其中SiNx的沉积厚度为
6.如权利要求5所述的有机发光显示器件,其中多个孔形成在与滤色器对应的区域中。
7.如权利要求5所述的有机发光显示器件,其中多个孔形成在与滤色器对应的区域中以及在滤色器区域中。
8.一种制造有机发光显示器件的方法,该方法包括:
提供包括多个像素的第一基板和第二基板;
在第一基板的每个像素处形成薄膜晶体管;
在包括薄膜晶体管的第一基板上形成第一绝缘层;
在像素区域中在第一绝缘层上形成滤色器层;
在包括滤色器层的第一基板上形成第二绝缘层;
在混合有SiH4和N2的气体环境中,在第二绝缘层上形成由SiNx制成且由不含氢的材料制成的光补偿层,其中光补偿层接触薄膜晶体管漏极焊垫;
在每个像素区的光补偿层上形成像素电极;
在光补偿层上形成用于发光的有机发光单元;
在有机发光单元上形成公共电极;和
将第一基板结合到第二基板。
9.如权利要求8所述的方法,还包括:
蚀刻光补偿层以形成在每个像素区外壁中形成的多个孔。
10.如权利要求9所述的方法,其中SiNx具有透光性。
11.如权利要求10所述的方法,还包括:
在混合有SiH4和NH3的气体环境中形成SiNx层,其中通过交替改变混合有SiH4和N2的气体环境和混合有SiH4和HN3的气体环境来形成SiNx。
12.如权利要求11所述的方法,其中还包括:
在真空状态下,对形成像素电极之后形成的层执行真空固化达预定时间周期,以经由孔释放包含在所形成的层中的外来物质。
13.如权利要求8所述的方法,其中
光补偿层由透明材料制成。
14.如权利要求8所述的方法,其中光补偿层由选自SiNx、ITO和IZO组成组的材料形成。
15.如权利要求8所述的方法,其中还包括:
在真空状态下,对形成像素电极之后形成的层执行真空固化达预定时间周期,以经由孔释放包含在所形成的层中的外来物质。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的